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PSD4000系列
初步信息
9.1.1.3内存操作
主Flash和二级闪存是通过微控制器解决
接口的PSD4000设备上。微控制器可以访问这些记忆在一
：两种方法
该
PSD4000
实用
块
（续）
t
微控制器可以执行一个典型的总线写或读
手术
就像它
如果使用标准的总线周期存取RAM或ROM设备。
t
微控制器可以执行特定的
指令
它由几个写
和读取操作。这涉及到写入特定的数据模式，以特殊地址
在闪存中调用嵌入算法。这些指令汇总
在表8中。
通常，闪存存储器，可以由微控制器使用的读操作读，只
因为它会读取ROM设备。然而，闪速存储器只能被擦除和
编程的具体说明。例如，微控制器不能写
一个字直接将闪存作为人会写一个字到RAM中。要设定一个
字到Flash存储器，微控制器必须执行的程序指令序列，
然后测试该节目事件的状态。此状态测试是由读取得
操作或轮询RDY / BUSY脚（ PE4 ） 。
闪存存储器，也可以通过使用特殊的指令来检索特定的读
闪存设备的信息（部门保护状态和ID ） 。
9.1.1.3.1说明
一个指令被定义为特定的操作序列。每一个接收到的字节是
通过在PSD依次解码，并且不执行作为一个标准的写操作。该
指令被执行时被正确地接收到正确的字节数和
两个连续字节之间的时间比超时值短。一些指令
构造成包括在初始写入操作后读操作。
任何指令的顺序必须严格遵守。任何无效组合
指令字节或超时连续两个字节之间，同时解决闪存
内存将复位器件逻辑放到读阵列模式（闪存读起来就像一
ROM设备） 。
该PSD4000主Flash和第二Flash支持这些指令（见表8 ） ：
t
t
t
t
t
t
t
通过芯片或扇区擦除记忆
挂起或恢复扇区擦除
编程一个字
复位到读阵列模式
阅读Flash主标识符值
读扇区保护状态
BYPASS指令
这些指令被详述于表8中有关说明的有效解码，所述
前两个字节的指令必须是在编码循环，接着是一个命令字节
或确认字节。该编码周期包括将数据写入字节AAh将解决
所述第一周期和数据字节将55h期间XAAAh到第二周期期间处理X554h
（除非BYPASS指令功能使用。见9.1.1.7 ） 。地址线A15- A12是
在指令写入周期不在乎。然而，相应的行业选择信号
（ FSI或CSBOOTi ）必须选择。
主闪存和二次闪存块具有相同的指令集（除
阅读主要的闪存ID ） 。闪存芯片选择将决定哪些闪光灯会
接收和执行指令。主闪光时，选择FS0-7的任何一个是
活性，而辅助闪光块被选择，如果CSBOOT0-3的任何一个是活动的。
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