位置：首页 > IC型号导航 > 首字符J型号页 > 首字符J的型号第288页 > JANSMQSMCGLCE45 > JANSMQSMCGLCE45 PDF资料 > JANSMQSMCGLCE45 PDF资料1第1页
SMCGLCE6.5通SMCGLCE170A ， E3
SMCJLCE6.5通SMCJLCE170A ， E3
斯科茨代尔区划
1500 WATT低电容
表面贴装型瞬态
电压抑制器
外形
描述
这种表面贴装瞬态电压抑制器（ TVS ）产品系列包括
串联的整流二极管元件和相反的方向上实现低电容
下面100 pF的。它们也可以作为符合RoHS，具有E3后缀。低
TVS的电容可以被用来保护在电感更高频率的应用
切换涉及每个二级雷电影响环境或电气系统
IEC61000-4-5 ，以及RTCA / DO- 160D或ARINC 429机载航空电子设备。他们
从ESD和EFT每IEC61000-4-2和IEC61000-4-4也保护。如果双极
瞬态能力是必需的，也可以使用两个这样的低电容TVS器件的
在平行和相反方向（反平行），用于完成交保护（图6） 。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
WWW .
Microsemi的
.C
OM
特点
可在6.5至200 V断态电压范围
100 pF以下的低电容
模塑料阻燃等级： UL94V -O
在C-弯两种不同的终端（ J-修改
德配DO- 214AB ）或鸥翼（ DO- 215AB ）
符合MIL -PRF- 19500的筛选选项
为JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可通过
加入MQ ， MX ， MV ，或MSP前缀分别组成部分
号码
可选100 ％筛查航空电子级可通过
加入MA前缀部件号为100 ％，温度
循环-55℃至125℃ （10X ），以及浪涌（3X）和24
小时HTRB与测试后V
BR
＆放大器;我
R
可通过添加“E3 ”后缀符合RoHS设备
应用/优势
1500瓦峰值脉冲功率在10/1000
μs
保护每架飞机选择快速数据传输速率线
在RTCA /电平波形DO- 160D & ARINC 429
低电容的高速数据线
接口
IEC61000-4-2 ESD 15千伏（空气） ， 8千伏（接触）
IEC61000-4-5 （闪电）中进一步详述
LCE6.5通LCE170A数据表
T1 / E1线路卡
基站
广域网接口
XDSL接口
CSU / DSU设备
最大额定值
1500瓦的峰值脉冲功耗为25℃
同
为0.01 ％或更少的重复率*
o
机械及包装
案例：模压，表面贴装
端子：鸥翼或C形弯曲（ J-修改
弯曲）锡铅或符合RoHS标准退火
每MIL -STD -750雾锡镀焊，
方法2026
极性：负极指示的带
标记：无前缀部分号码（例如
LCE6.5A ， LCE6.5Ae3 ， LCE33 ， LCE33Ae3等。
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
拥有16毫米磁带， 750元7寸盘或2500元
13英寸卷轴（加“ TR”后缀的部件号）
钳位因子： 1.4 @全额定功率
1.30 @ 50 ％额定功率
-9
t
夹紧
（ 0伏特至V
（ BR ）
分） ：小于5×10秒
工作和存储温度： -65至+150
o
C
稳态功耗： 5.0W @ T
L
= 50
o
C
热电阻： 20
o
C / W （典型的交界处
铅（选项卡） ，在安装平面
*当脉冲测试，没有脉冲相反的方向
（见“原理应用”部分，并在此
图5 & 6，用于在两个方向上进一步保护）
电气特性@ 25
o
C
Microsemi的
产品型号
鸥翼
“G”
BEND LEAD
SMCGLCE6.5
SMCGLCE6.5A
SMCGLCE7.0
SMCGLCE7.0A
SMCGLCE7.5
SMCGLCE7.5A
SMCGLCE8.0
SMCGLCE8.0A
SMCGLCE8.5
SMCGLCE8.5A
SMCGLCE9.0
SMCGLCE9.0A
SMCGLCE / SMCJLCE
Microsemi的
产品型号
改进
“J”
BEND LEAD
SMCJLCE6.5
SMCJLCE6.5A
SMCJLCE7.0
SMCJLCE7.0A
SMCJLCE7.5
SMCJLCE7.5A
SMCJLCE8.0
SMCJLCE8.0A
SMCJLCE8.5
SMCJLCE8.5A
SMCJLCE9.0
SMCJLCE9.0A
反向
对峙
电压
击穿电压
V
BR
伏
民
7.22
7.22
7.78
7.78
8.33
8.33
8.89
8.89
9.44
9.44
10.0
10.0
@ I
（ BR ）
最大
反向
泄漏
最大
夹紧
电压
V
WM
伏
6.5
6.5
7.0
7.0
7.5
7.5
8.0
8.0
8.5
8.5
9.0
9.0
@V
WM
最大
8.82
7.98
9.51
8.60
10.2
9.21
10.9
9.83
11.5
10.4
12.2
11.1
mA
10
10
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
@I
PP
V
C
伏
12.3
11.2
13.3
12.0
14.3
12.9
15.0
13.6
15.9
14.4
16.9
15.4
I
D
μA
1000
1000
500
500
250
250
100
100
50
50
10
10
最大
峰值脉冲
当前
I
PP
@10/1000
安培
100
100
100
100
100
100
100
100
94
100
89
97
最大
电容
@ 0伏特，
F = 1 MHz的
pF
75
75
75
75
100
100
100
100
100
100
100
100
V
WIB
B
I
IB
逆
闭塞
泄漏
当前
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
PIB
PEAK
逆
闭塞
电压
伏
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
工作
逆
闭塞
电压
伏
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
75
版权
2005
2005年6月6日版D
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
