TPIC1502
Quad和HEX功率DMOS阵列
SLIS054 - 1996年10月
典型特征
漏电流
vs
栅极 - 源极电压
4
Q1A ， Q1B ， Q2A ， Q2B
TJ = - 40°C
3
I D - 漏电流 - 一个
TJ = 125°C
2
I D - 漏电流 - 一个
TJ = 25°C
3
TJ = 125°C
2
4
TJ = - 40°C
TJ = 25°C
漏电流
vs
栅极 - 源极电压
1
1
Q3A ， Q3B ， Q4A ， Q4B ，
Q5A ， Q5B
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VGS - 栅极 - 源极电压 - V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
VGS - 栅极 - 源极电压 - V
图15
电容
vs
漏极至源极电压
115
108
西塞
101
94
电容 - pF的
87
80
73
66
59
52
45
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VDS - 漏极 - 源极电压 - V
CRSS
科斯
电容 - pF的
VGS = 0
F = 1 MHz的
TJ = 25°C
Q1A ， Q1B ，
Q2A ， Q2B
74
69
64
59
54
49
84
79
图16
电容
vs
漏极至源极电压
西塞
科斯
VGS = 0
F = 1 MHz的
TJ = 25°C
Q3A ， Q3B ， Q4A ，
Q4B ， Q5A ， Q5B
CRSS
44
39
34
0
2
4
6
8
10
12
14
16
VDS - 漏极 - 源极电压 - V
图17
图18
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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