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IDT54/74FCT841A/B/C
高性能CMOS总线接口锁存器
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
V
TERM(2)
端电压
关于
GND
V
TERM(3)
端电压
关于
GND
T
A
操作
温度
T
BIAS
温度
在偏置
T
英镑
存储
温度
P
T
功耗
I
OUT
DC输出
当前
广告
-0.5到+7.0
军事
单位
-0.5到+7.0
V
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入
电容
产量
电容
(1)
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
2607 TBL 04
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
°C
°C
°C
W
mA
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
注意：
2607 TBL 03
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。无端子电压
可能超过V
CC
以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入和V
CC
只有终端。
3.输出和仅I / O端子。
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
I H
I
I L
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最小值，我
N
= -18mA
V
CC
=最大。
(3)
, V
O
= GND
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300
A
I
OH
= -15mA MIL 。
I
OH
= -24mA COM'L 。
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300
A
V
CC
=最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300
A
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
输入低电平电流
关闭状态（高阻）
输出电流
V
CC
=最大。
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–75
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
2607 TBL 05
单位
V
V
A
A
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.22
3
