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P L I M I N A R
擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
字编程时间
芯片编程
时间
（注3）
字节模式
文字模式
典型值（注
1)
1
14
8
16
8.4
5.8
300
360
25
17
最大值（注2）
10
单位
s
s
s
s
s
s
不包括系统级
开销（注5 ）
评论
排除00H编程
对擦除之前
注意事项：
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件： 25
°
C， 3.0 V V
CC
，百万个周期。
此外，规划标准结构假设棋盘图案。
为90℃ ，V 2，在最坏情况条件
CC
= 2.7 V ，百万个周期。
3.典型的芯片编程时间比列出的最大芯片编程的时间要少得多，因为大多数
字节的程序比列出的最高纲领倍的速度。
4.在嵌入式擦除算法的预编程步骤，所有字节擦除之前为00h 。
5.系统级开销是执行的两个或四个总线周期序列的程序所需要的时间
命令。参见表5的命令定义的详细信息。
6.该器件具有1,000,000个周期的最低保证擦除和编程周期耐力。
闭锁特性
描述
输入电压相对于V
SS
除了在I / O引脚的所有引脚
（包括A9 ， OE ＃和RESET ＃ ）
输入电压相对于V
SS
所有的I / O引脚
V
CC
当前
包括除V所有引脚
CC
。测试条件： V
CC
=
3.0V，一个销的时间。
民
–1.0 V
–1.0 V
-100毫安
最大
12.5 V
V
CC
+ 1.0 V
100毫安
TSOP和SO引脚电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数说明
输入电容
输出电容
控制引脚电容
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
典型值
6
8.5
7.5
最大
7.5
12
9
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1.采样，而不是100 ％测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫。
数据保留
参数
最小模式数据保存时间
TEST
条件
150°C
125°C
民
10
20
单位
岁月
岁月
43
Am29LV800D
Am29LV800D_00_A4_E 2005年1月21日
