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P L I M I N A R
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（这在 -
cludes编程数据到设备和擦除
的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定
该设备是否接收节目数据中的字节或
话。请参阅“字/字节配置”更多
信息。
该器件具有一个
解锁绕道
模式设施
射孔更快的编程。一旦设备进入非
锁定旁路模式，只有两个写周期需要
编程一个字或字节，而不是四个。该“字/字节
程序命令序列“部分有详细
同时使用标准的编程数据到设备和
解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多节
器，或整个设备。表2和表3表示的
每个扇区占据的地址空间。 A“部门AD-
礼服“由需要唯一的地址位
选择一个扇区。 “命令定义”部分
有细节上的擦除扇区或整个芯片，或
暂停/恢复擦除操作。
系统后写自选命令SE-
quence ，器件进入自动选择模式。该
然后，系统可以从接口读取自动选择码
纳尔寄存器（它是分开的存储器阵列）
在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序适用于本
模式。请参阅“自选模式”和“自选
命令序列“的详细信息部分。
I
CC2
在DC特性表代表了AC-
略去电流规格为写入模式。在“AC
特性“部分包含时序规格
表和时序图，用于写操作。
待机电流将更大。该设备要求
标准访问时间（t
CE
）进行读访问时，
设备是在这两种待机模式，它是前
准备读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择
明，该器件消耗的有功电流，直到
操作完成。
在DC特性表，我
CC3
我
CC4
表象
货物内待机电流规格。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件
能量消耗。自动装置
使得当地址保持稳定为这种模式
t
加
+ 30纳秒。自动睡眠模式
独立的CE ＃ ， WE ＃和OE ＃控制
信号。标准地址的访问时序提供了新的
当地址被更改的数据。而在睡眠
模式时，输出数据被锁存并总是可用
该系统。我
CC4
在DC特性表
epresen TS前作非盟马蒂奇SLE EP模式CURR耳鼻喉科
特定连接的阳离子。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供了复位 - 硬件方法
婷设备读取阵列数据。当RE-
SET ＃引脚被拉低了至少一个周期T
RP
中，
设备
立即终止
在任何操作
进步，所有的三态输出引脚，而忽略所有
阅读的RESET ＃持续时间/写命令
脉搏。该器件也复位内部状态马
茅根阅读阵列的数据。这是IN-操作
terrupted应该重新开始，一旦该设备已准备就绪
接受另一个命令序列，以确保数据的
诚信。
电流减小为的RESET ＃持续时间
脉搏。当RESET ＃保持在V
SS
± 0.3 V时，器件
平CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.3 V时，备用电流的意志
更大。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位税务局局长
cuitry 。系统复位将因此还重新设置闪光
存储器，使系统能够读取开机
固件从闪存中。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除OP-
关合作，所述RY / BY＃引脚保持为“0” （忙），直到
内部复位操作完成，这需要一个
时间t
准备
（在嵌入式算法） 。该
这样的系统可以监控RY / BY ＃遏止煤矿
在复位操作是否完成。如果RESET ＃是
声称当编程或擦除操作不EX-
ecuting （ RY / BY＃引脚为“1”） ，在复位操作是
吨的时间内完成
准备
（而不是在嵌入
DED算法） 。该系统可以读取的数据吨
RH
后
在RESET ＃引脚返回到V
IH
.
9
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可
通过读取状态检查操作的状态
位在DQ7 - DQ0 。标准的读周期时序和我
CC
读取规格适用。请参阅“写操作
状态“的详细信息，并以” AC Characteris-
抽动“的时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，
它可以将器件置于待机模式。在这
模式下，电流消耗大大减少，并且
输出被置于高阻抗状态，不知疲倦
下垂的OE ＃输入。
该器件进入CMOS待机模式时，
CE ＃和RESET ＃引脚均保持在V
CC
±
0.3 V.
（注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
但内
V
CC
±
0.3 V时，该设备将处于待机状态，但
Am29LV800B
