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概述
该Am29LV160D是16兆， 3.0伏仅限于Flash
内存组织为2,097,152字节或1,048,576
话。该器件采用48球FBGA封装， 44引脚
SO和48引脚TSOP封装。在字宽数据
（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 ;字节宽的（x8）数据
出现在DQ7 - DQ0 。此装置被设计成
在系统编程与标准系统3.0
伏V
CC
供应量。 12.0 V V
PP
或5.0 V
CC
不
在用于写或擦除操作。该设备可以
还
be
程序
in
标准
EPROM编程器。
该器件提供70 ， 90的访问时间，和120纳秒，
允许高速微处理器来操作
无需等待。为了消除总线争用的
设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
只有一个设备需要
单3.0伏电源
供应
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
该Am29LV160D完全是命令集兼容
与
JEDEC单电源闪存标
准。
命令被写入命令寄存器
采用标准的微处理器写时序。注册
内容作为输入到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。该
解锁绕道
模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除
命令序列。这将启动
嵌入式
抹去
算法的一个内部算法automati-
美云preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
在擦除，擦除设备会自动倍
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃
销，或通过阅读DQ7 （数据＃投票）和DQ6
（切换）
状态位。
经过编程或擦除周期有
完毕后，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
该
扇区擦除架构
让内存部门
要被擦除和重新编程，而不会影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
内存。这可以在系统或通过亲来实现
编程设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃引脚
终止任何操作
在进行中，内部状态机复位到
读阵列数据。在RESET ＃引脚可连接到
系统复位电路。因此，一个系统复位也会
复位装置，使系统微处理器
读取从Flash存储器的引导固件。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时，器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机
模式。
功率消耗在两个大减
这些模式。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
同时通过部门福勒 - 诺德海姆调谐
neling 。的数据是使用热电子编程
注入。
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Am29LV160D
