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PSD835G2
PSD8XX家庭
该
PSD835G2
实用
块
（续）
9.1.1.8解锁绕道指令
解锁旁路功能允许系统程序字的快闪记忆体
比使用标准的程序指令更快。解锁旁路指令
通过先写两个解锁周期开始。这之后是包含第三写周期
解锁旁路命令， 20小时（参见表8） 。闪速存储器，然后进入解锁
旁路模式。的二冲程解锁绕道程序指令是要求所有
程序在此模式。在该指令的第一个周期包含解锁绕道
程序指令：A0H ;在第二个周期中包含的程序的地址和数据。
附加数据被编程以相同的方式。此模式省去了初始
在标准程序指令需要两个解锁周期，从而加快总
编程时间。在解锁旁路模式下，只有解锁绕道程序和
解锁绕道复位指令是有效的。要退出解锁旁路模式下，系统
必须发出两个周期的解锁旁路复位指令。在第一周期中必须包含
数据90H ;第二个周期的数据为00h 。地址是不喜欢这两个周期。该
闪速存储器，然后返回到读出数组数据模式。
9.1.1.9擦除闪存
9.1.1.9.1 。闪存批量擦除指令
闪存批量擦除指令使用六个写操作之后的读操作
状态寄存器，如表8描述如果批量擦除指令中的任何一个字节
错了，批量擦除指令中止和设备重置为读取闪存
状态。
在批量擦除，内存状态可以通过读状态进行检查位DQ5 ， DQ6 ，
和DQ7 ，详见第9.1.1.7 。错误位（ DQ5 ）返回一个“1” ，如果出现了
擦除失败（擦除周期的最大数目已执行） 。
它不需要值为00h阵列进行编程，因为PSD835G2会自动
擦除到0FFh之前做到这一点。
在执行批量擦除指令，闪存不会接受任何
指令。
9.1.1.9.2闪存扇区擦除指令
扇区擦除指令使用6写操作，如表8的附加说明
Flash扇区擦除确认命令和Flash扇区地址可写
随后擦除闪存等行业并行，无需进一步编码的周期，如果
附加的指令在较短的时间比为约超时时间发送
100微秒。一个新的扇区擦除指令输入将重新启动超时时间。
内部定时器的状态可以通过DQ3的水平进行监测（擦除超时
位）。如果DQ3为'0' ，扇区擦除指令已收到，超时是
计数。如果DQ3是'1' ，则超时已过期和PSD835G2忙擦除
Flash扇区（ S） 。之前和期间擦除超时，比擦除之外的任何指令暂停
和擦除恢复将中止指令和重置设备来读取阵列模式。
这是没有必要的闪存扇区编程值为00h作为PSD835G2会这么做
之前自动擦除。
在一个扇区擦除，内存状态可以通过读状态位DQ5进行检查，
DQ6和DQ7 ，如第9.1.1.7详细说明。
在执行擦除指令， Flash模块的逻辑只接受复位和
擦除挂起的说明。 1 Flash扇区擦除可能被暂停，以
从另一个Flash扇区读取数据，然后重新开始。
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