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PSD8XX家庭
PSD835G2
该
PSD835G2
实用
块
（续）
9.1.1.5电条件
该PSD835G2内部逻辑是在上电时，以所读取的阵列模式复位。在FSI和
CSBOOTi选择信号，随着写选通信号，必须在假的状态
上电时对数据内容的最大安全性和去除的可能性
数据被写在一个写选通信号的第一边缘。任何写周期开始的
锁定时， V
CC
低于VLKO 。
9.1.1.6读
在典型的情况下，微控制器可以读取闪存，或二次闪光
使用的读操作，就像它的ROM或RAM器件的回忆。交替地，在
microcontoller可以使用的读操作，以获取有关程序的状态信息或
擦除操作中的进展。最后，微控制器可以使用指令来读
从这些回忆的特殊数据。以下各节描述了这些读取功能。
9.1.1.6.1读取内存的内容
主闪存和副屏闪存存储器被放置在读阵列模式后
电时，芯片复位，或复位闪光指令（参见表8）。微控制器可以
通过读取操作的任何读取闪存主要或次要的Flash存储器中的内容
时间的读操作是不是一个指令序列的一部分。
9.1.1.6.2阅读主Flash存储器标识符
主要的闪存标识符读取与操作4组成的指令：
3具体的写操作和读出操作（见表8）。该PSD835G2主Flash
内存编号为E8H 。
9.1.1.6.3读取闪存扇区保护状态
Flash存储器扇区保护状态读取与4组成的指令
操作： 3具体的写操作和读出操作（见表8）。读
操作会产生01H如果Flash扇区被保护，或为00h如果该扇区是不
受保护的。
所有NVM块的扇区保护状态（主Flash或第二Flash ）也可以
通过访问保护的Flash和Flash启动保护微控制器读取
寄存器PSD I / O空间。见寄存器定义部分9.1.1.9.1 。
9.1.1.6.4阅读擦除/编程状态位
该PSD835G2提供了所使用的微控制器，以确认若干状态位
完成的闪存擦除或编程指令。这些状态位
尽量减少微控制器花费执行这些任务，并定义的时间
在表9中的状态位可以根据需要多次读出。
表9.状态位
FSI /
CSBOOTi
FL灰
V
IH
DQ7
数据
轮询
DQ6
切换
旗
DQ5
错误
旗
DQ4
X
DQ3
抹去
时间
OUT
DQ2
X
DQ1
X
DQ0
X
注意事项：
1， X =非保证值，可以读取1或0 。
2. DQ7 - DQ0表示数据总线位数， D7 -D0 。
3， FSI / CSBOOTi高电平有效。
对于闪存存储器，微控制器可以执行一个读取操作，以获得这些状态
比特，而擦除或编程指令被嵌入的算法被执行。
详细信息请参见第9.1.1.7 。
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