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ORCA
2系列的FPGA
数据表
1999年6月
时序特性
（续）
表39.B OR2TxxB同步存储器写入特性（ SSPM和SDPM模式）
（续）
OR2TxxB商业： V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， 0 ℃，
≤
T
A
≤
70 ℃; OR2TxxB工业： V
DD
= 3.0 V至3.6 V ， -40°C
≤
T
A
≤
+85 °C.
速度
参数
写操作建立时间：
地址时钟（ A [ 3 ： 0 ] / B [ 3 ： 0 ]至CK）
数据时钟（ WD [ 3 ： 0 ]至CK）
写使能（ WREN）时钟
（ A4到CK）
写端口使能（ WPE ）时钟
（C0至CK）
写操作保持时间：
地址时钟（ A [ 3 ： 0 ] / B [ 3 ： 0 ]至CK）
数据时钟（ WD [ 3 ： 0 ]至CK）
写使能（ WREN）时钟
（ A4到CK）
写端口使能（ WPE ）时钟
（C0至CK）
符号
民
MEMS_ASET
MEMS_DSET
MEMS_WRSET
MEMS_PWRSET
0.0
0.0
0.0
0.0
-7
最大
—
—
—
—
民
0.0
0.0
0.0
0.0
-8
最大
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
单位
MEMS_AHLD
MEMS_DHLD
MEMS_WRHLD
MEMS_PWRHLD
1.0
1.0
1.0
0.7
—
—
—
—
0.8
0.8
0.8
0.6
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
不允许1回读时同时写入一个PFU在任何SSPM快速模式或SDPM快速模式CON组fi guration比特流。
2.由于数据到锁存器/ FFs的建立时间小于0毫微秒，写入到RAM中的数据可以被加载到一个锁存/ FF在同一
PFU上的下一个相反的时钟边沿（半个时钟周期） 。
注：速度等级-5，-6和-7仅供OR2TxxA设备。
MEMS_ASET
A [ 3：0 ]，B [ 3：0]
MEMS_DSET
WD [3：0 ]
MEMS_WRSET
A4 （雷恩）
MEMS_PWRSET
C0 （ WPE ）
T
FSCH
/T
SCH
CK
MEMS_AHLD
MEMS_DHLD
MEMS_WRHLD
MEMS_PWRHLD
T
的fSCL
/T
SCL
FMEMS_DEL / MEMS_DEL
F[3:0]
5-4621(F).a
图60.同步存储器写入特性
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朗讯科技公司
