M87C257
地址锁存
256K （ 32K ×8） UV EPROM和OTP EPROM
综合地址锁存
快速存取时间：为45nS
低功率“ CMOS ”消费：
- 主动电流30mA
- 待机电流100μA
编程电压： 12.75V
对于自动电子签名
程序设计
周围3秒的编程时间。
（ PRESTO II算法）
28
1
FDIP28W （ F）
PLCC32 （ C）
图1.逻辑图
描述
该M87C257是高速262144位紫外
可擦除电可编程EPROM 。
该M87C257采用锁存器的所有地址
输入，降低芯片数量，降低成本，并
简化多路复用总线系统的设计。
窗口陶瓷熔块，密封双列直插封装
年龄有一个透明的盖，其允许用户给
暴露出该芯片于紫外光擦除位
格局。一种新的模式可以被写入
装置由以下所述的编程步骤。
对于应用中的内容被编程
不要求只有一个时间和擦除，所述
M87C257在塑料有引线芯片载体提供，
封装。
VCC
15
A0-A14
8
Q0-Q7
E
G
M87C257
表1.信号名称
A0 - A14
Q0 - Q7
E
G
ASV
PP
V
CC
V
SS
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
地址选通/供应计划
电源电压
地
ASVPP
VSS
AI00928B
1996年6月
1/13
