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IDT71V3557 ， IDT71V3559 ， 128K ×36 ， 256K ×18 ， 3.3V同步SRAM与
ZBT 功能， 3.3VI / O ，突发计数器和流过输出
商用和工业温度范围
同步真值表
(1)
CEN
L
L
L
L
L
L
H
R/
W
L
H
X
X
X
X
X
CE
1
,
CE
2
(5)
L
L
X
X
H
X
X
ADV /
LD
L
L
H
H
L
H
X
BW
x
有效
X
有效
X
X
X
X
地址
二手
外
外
国内
国内
X
X
X
前一个周期
X
X
LOAD WRITE /
突发写
LOAD读/
突发读
X
取消选择/ NOOP
X
当前周期
LOAD写
LOAD读
突发写
（提前爆计数器）
(2)
突发读
（提前爆计数器）
(2)
DESELECT或停止
(3)
NOOP
暂停
(4)
I / O
（一个周期后）
D
(7)
Q
(7)
D
(7)
Q
(7)
成为HiZ
成为HiZ
以前的值
5282 TBL 08
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无关。
2.当ADV / LD信号采样为高电平时，内部的突发计数增加。当计数器前进的R / W信号被忽略。因此，对自然
脉冲串周期（读或写）用的R / W信号的状态时，所述第一地址是在脉冲串周期的开始装入测定。
3.取消选择周期开始时是（ CE
1
或
CE
2
采样为高电平或CE
2
采样低点）和ADV / LD采样为低电平时时钟的上升沿。将数据总线
三态取消后一个周期开始。
4.当
CEN
被采样为高，在时钟的上升沿，该时钟边沿从通过部分propogating阻止。的所有的内部寄存器和I /状态
口保持不变。
5.要选择的芯片需要
CE
1
= L,
CE
2
= L和CE
2
=这些芯片上的H使能引脚。该芯片被取消，如果芯片中的任何一个能是假的。
正在6.确保设备的输出是在高阻时器件上电。
7.问 - 从设备中读取数据，D - 数据写入设备。
部分真值表进行写操作
手术
读
写的所有字节
写字节1 （ I / O [ 0 ： 7 ] ， I / O
P1
)
(2)
写字节2 （ I / O [ 8:15 ] ， I / O
P2
)
(2)
写字节3 （ I / O [ 16:23 ] ， I / O
P3
)
(2,3)
写字节4 （ I / O [ 24:31 ] ， I / O
P4
)
(2,3)
不写
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X =无关。
可以在同一周期中被选择2多字节。
3. N / A的X18配置。
(1)
R/
W
H
L
L
L
L
L
L
BW
1
X
L
L
H
H
H
H
BW
2
X
L
H
L
H
H
H
BW
3
(3)
X
L
H
H
L
H
H
BW
4
(3)
X
L
H
H
H
L
H
5282 TBL 09
交错突发序列表（ LBO = V
DD
)
序列1
A1
科幻RST地址
第二个地址
第三个地址
第四地址
(1)
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
序列2
A1
0
0
1
1
A0
1
0
1
0
序列3
A1
1
1
0
0
A0
0
1
0
1
序列4
A1
1
1
0
0
A0
1
0
1
0
5282 TBL 10
注意：
1.当突发序列计数器绕回至其初始状态，并继续计数的完成。
6.42
9
