512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多用途闪存
SST39LF512 / SST39LF010 / SST39LF020 / SST39LF040
SST39VF512 / SST39VF010 / SST39VF020 / SST39VF040
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
脉冲，而命令（ 30H）被锁定在上升
第六WE ＃脉冲的边缘。内部擦除操作
第六WE ＃脉冲之后开始。在最终的擦除可
通过数据＃查询或翻转位确定甲
消耗臭氧层物质。参见图9的时序波形。任何命令
在扇区擦除操作过程中写入将被忽略。
芯片擦除操作
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040设备提供了全片擦除操作，该操作
允许用户擦除整个存储器阵列的“1”
状态。此，当整个装置必须迅速地是有用
删除。
通过执行六发起的芯片擦除操作
字节与软件数据保护指令序列
在过去的芯片擦除命令（ 10H ）地址为5555H
字节序列。内部擦除操作开始
第六WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
第一。在内部擦除操作，唯一有效的读
是翻转位或数据＃查询。请参阅表4的命令
序列，图10为时序图，图18为
的流程图。在芯片级时写入的任何命令
擦除操作将被忽略。
读
该SST39LF512的读操作/ 010 / 020 / 040和
SST39VF512 / 010 / 020 / 040设备通过CE＃控制
和OE ＃ ，二者都为低电平的系统，以获得数据
从输出。 CE＃用于器件选择。当
CE＃为高电平时，芯片被取消，只有待机功耗
被消耗。 OE＃为输出控制，用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻抗
ANCE状态时，无论CE ＃或OE ＃为高电平。参阅
了解更多详细信息（图4）周期时序图。
字节编程操作
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040被编程在逐字节的基础。前
编程时，必须确保该扇区，其中
正被编程的存在的字节时，被完全擦除。
在编程操作包括三个步骤。第一
步骤是用于软件数据的三字节序列载荷
保护。第二步骤是要加载的字节地址和
字节的数据。在字节编程操作，
地址锁存，无论是CE＃下降沿或
WE＃ ，最后的为准。该数据被锁存的利培
荷兰国际集团的CE＃或WE＃边沿，以先到为准。该
第三步是内部编程操作，这是initi-
后ated的第4个WE ＃或CE ＃ ，上升沿，而─
先出现。编程操作，一旦启动，将
完成，在20微秒。参见图5和6为WE＃
和CE ＃控制的编程操作时序图
图15的流程图。在程序操作
化，唯一有效的读操作是数据＃查询和翻转位。
在内部编程操作，主机可以自由地
执行其他任务。在写任何命令
内部编程操作将被忽略。
写操作状态检测
该SST39LF512 / 010 / 020 / 040和SST39VF512 / 010 /
020/040器件提供两种软件方法来检测
写（编程或擦除）周期，完成以
优化系统写周期时间。该软件探测器
化包含两个状态位：数据＃查询（ DQ
7
），并瓶酒
GLE位（ DQ
6
） 。写操作结束检测模式已启用
之后WE＃上升沿启动内部亲
克或擦除操作。
非易失性写操作的实际完成是asynchro-
知性与系统;因此，无论是数据＃查询或
切换位读可以同时配合完成
的写周期。如果出现这种情况，系统可以有可能
获得一个错误的结果，即，有效数据可能会以CON组
flict有两种DQ
7
或者DQ
6
。为了防止杂散
排斥，如果错误的结果发生时，软件例程
应包括循环读取访问单元
附加的两（2）倍。如果两个读数是有效的，则
设备已完成写周期，否则rejec-
化是有效的。
扇区擦除操作
扇区擦除操作可以使系统删除
设备上的一个扇区到扇区的基础。部门架构
是基于4K字节均匀的扇区大小。在扇区
通过执行一个六字节的COM启动擦除操作
与扇区擦除命令（ 30H ）和命令序列
扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。部门
地址被锁存的6个WE＃的下降沿
2001硅存储技术公司
S71150-03-000 6/01
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