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8兆位（ X8 ）多用途闪存
SST39VF088
SST39VF0882.7V为8MB（ X8 ）强积金内存
初步规格
产品特点：
组织为1M ×8
单电压读写操作
– 2.7-3.6V
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗（ 5 MHz时典型值）
- 工作电流：12 mA（典型值）
- 待机电流： 4 μA （典型值）
扇区擦除功能
- 统一4K字节扇区
块擦除功能
- 统一64千字节块
快速读取访问时间：
- 70和90纳秒
锁存地址和数据
快速擦除和字节编程
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 70毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
- 芯片重写时间：15秒（典型值）
自动写时序
- 内部V
PP
GENERATION
检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准
- 闪存EEPROM的引脚及指令集
封装
- 48引脚TSOP （12毫米X 20毫米）
产品说明
该SST39VF088装置是1M ×8的CMOS多用途
闪存（ MPF）与SST专有的制造，高
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。该SST39VF088写（编程或擦除）
用2.7-3.6V电源。它符合JEDEC标
准引脚为X8的回忆。
拥有高性能的字节编程时，
SST39VF088器件提供了一个典型的字节编程时间
14微秒。该器件使用翻转位或数据＃查询到
表示完成计划操作。为了保护
防止误写入，他们有片上硬件和
软件数据保护方案。设计，制造
捕获的原始图像，并测试了广泛的应用，这些光谱
器件提供10,000保证续航能力
周期。数据保留的额定功率为100年以上。
该SST39VF088装置适合于应用
需要程序方便和经济的升级，
配置或数据存储器。对于所有系统应用，
它们显著提高性能和可靠性，同时
降低功耗。他们天生少用
擦除和编程比其他闪存过程中的能源
技术。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
2003硅存储技术公司
S71227-04-000
11/03
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
强积金是Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技术。他们
还可以提高灵活性，同时降低成本的方案，
数据和配置存储应用。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF088是48引脚TSOP封装提供。看
图1为引脚分配。
