位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第265页 > SST39LF016-70-4C-B3I > SST39LF016-70-4C-B3I PDF资料 > SST39LF016-70-4C-B3I PDF资料2第2页
8兆位/ 16兆位多用途闪存
SST39LF080 / SST39LF016 / SST39VF080 / SST39VF016
数据表
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016也有
自动低功耗
模式，使器件在附近
数据后待机模式下被访问具有有效
读操作。这降低了我
DD
读操作工作电流
从通常为15 mA至通常为4 μA 。自动低功耗
模式降低了典型I
DD
到有源读取电流
1 mA范围/读取周期时间兆赫。器件退出
自动低功耗模式与任何地址变换或CON-
控制用于启动另一个读周期的信号传输，
没有访问时间损失。注意，该设备不
进入自动低功耗模式后，电用CE ＃举行
稳定低，直到第一次地址变换或CE ＃驱动
高。
是数据＃查询和翻转位。在内部亲
克操作，主机可以自由地执行其他任务。
内部编程过程中发出的任何命令操作
化被忽略。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016
同时提供扇区擦除和块擦除模式。部门
体系结构是基于4K字节均匀的扇区大小。
在块擦除方式是基于均匀的块大小
64 K字节。由exe-启动扇区擦除操作
三个琴键与扇区擦除一个6字节的命令序列
命令（ 30H）和部门在过去的总线地址（ SA ）
周期。通过执行一个初始化块擦除操作
用块擦除命令六字节的命令序列
（ 50H ），并在最后一个总线周期块地址（ BA ） 。该
扇区或块地址被锁存的下降沿
6个WE ＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）是
锁定第6个WE ＃脉冲的上升沿。该
第六WE ＃脉冲后内部擦除操作开始。
期终止擦除操作可通过确定
无论是数据＃查询或翻转位的方法。参见图9
和10的时序波形图。期间发出的任何命令
在扇区擦除或块擦除操作将被忽略。
读
在SST39LF / VF080的读操作和
SST39LF / VF016通过CE＃和OE ＃控制，都有
是低的系统，以获得从所述输出数据。
CE＃用于器件选择。当CE＃为高电平时，
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制中，通过使用栅极数据
输出管脚。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图3）。
芯片擦除操作
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供
芯片擦除操作，其允许用户擦除
整个存储器阵列的“1”状态。这是非常有用的，当
整个装置必须迅速删除。
通过执行一个六发起的芯片擦除操作
与芯片擦除命令字节的命令序列（ 10H ）
在最后一个字节序列地址5555H 。擦除
操作开始的6个WE＃上升沿或
CE＃ ，以先到为准。在擦除操作，
唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。请参阅表
4，用于在指令序列，图8为时序图，
和图19的流程图。任何命令发出很好地协同
荷兰国际集团的全片擦除操作将被忽略。
字节编程操作
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016是亲
编程在逐字节的基础。编程之前，
1 ，必须确保该扇区，其中该字节是
被编程的存在，完全抹去。该计划
操作包括三个步骤。第一步是在三
软件数据保护字节装入序列。该节
OND步骤是装载字节地址和字节的数据。在
字节编程操作时，地址锁存的
任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准。
该数据被锁存，在CE＃的上升沿或
WE＃ ，以先到为准。第三步是在内部
这是以后的上升沿启动程序操作
第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准。亲
克操作，一旦启动，将在20完成
微秒。参见图4和图5为WE＃和CE ＃控制的亲
克操作时序图，图16为液流 -
图表。在编程操作期间，仅有的有效读
2001硅存储技术公司
写操作状态检测
该SST39LF / VF080和SST39LF / VF016提供两个
软件方法来检测完成写的（亲
克或擦除）循环中，为了优化系统写
周期时间。软件检测包含两个状态位：
数据＃投票（ DQ
7
），并触发位（ DQ
6
） 。对了，写结束
检测模式后的WE ＃的上升沿使能
启动内部编程或擦除操作。
S71146-03-000 6/01
396
2
