1兆位多用途闪存
SST39LF100 / SST39VF100
数据表
产品订购信息
设备
SST39xF100
速度
- XXX
-
Suffix1
XX
-
Suffix2
XX
包修改
I = 40引线
K = 48球
数字=模具修改
套餐类型
W = TSOP （ 10毫米x10 14毫米）
B3 = TFBGA封装（ 0.8mm间距， 6× 8毫米）
温度范围
C =商业= 0 ° C至+ 70°C
I =工业= -40 ° C至+ 85°C
最低耐力
4 = 10,000次
读访问速度
45 = 45 ns的
70 = 70纳秒
器件密度
100 = 1兆
电压
L = 3.0-3.6V
V = 2.7-3.6V
有效组合SST39LF100
SST39LF100-45-4C-WI
SST39LF100-45-4C-B3K
有效组合SST39VF100
SST39VF100-70-4C-WI
SST39VF100-70-4I-WI
注意：
SST39VF100-70-4C-B3K
SST39VF100-70-4I-B3K
有效组合是已量产或即将量产。请咨询您的SST销售
代表确认有效组合的可用性，并确定新组合的供应。
2001硅存储技术公司
S71129-02-000 6/01
363
19
