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SN54ABT843 ， SN74ABT843
9位总线接口D类锁存器
具有三态输出
SCBS197D - 1991年2月 - 修订1997年5月
D
D
D
D
D
国家的最先进的
EPIC-
ΙΙ
B
BiCMOS工艺设计
显著降低了功耗
闭锁性能超过500 mA每
JEDEC标准JESD -17
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 1 V
在V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
高驱动输出（ -32 mA的我
OH
64 mA的我
OL
)
封装选择包括塑料
小外形（ DW ）和收缩
小外形（ DB ）封装，陶瓷片
电信运营商（ FK ） ，陶瓷平板（W ）封装，
和塑料（ NT）和陶瓷（ JT ）下降
SN54ABT843 。 。 。 JT或W包装
SN74ABT843 。 。 。 DB ， DW ，或NT包装
（ TOP VIEW ）
描述
在“ ABT843 9位锁存器的设计
专为驱动高容性或
相对低的阻抗负载。他们是
特别适合于实现缓冲
寄存器，I / O端口，双向总线驱动程序，
工作寄存器。
九透明D型锁存器提供真实
在输出数据。
缓冲的输出使能（ OE ）输入可用于
把九个输出在任何一个正常的逻辑
状态（高或低逻辑电平）或
高阻抗状态。的输出也都在
在上电期间的高阻抗状态，
掉电条件。输出保持在
高阻抗状态，而设备供电
下来。在高阻抗状态时，输出
没有加载，也不显著驾驶公交线路。
高阻抗状态，增加驱动器
提供驾驶公交线路无能力
需要为接口或上拉部件。
3D
4D
5D
NC
6D
7D
8D
OE
1D
2D
3D
4D
5D
6D
7D
8D
9D
CLR
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
1Q
2Q
3Q
4Q
5Q
6Q
7Q
8Q
9Q
PRE
LE
SN54ABT843 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
4
5
6
7
8
9
10
3 2 1 28 27 26
25
24
23
22
21
20
OE
NC
V
CC
1Q
2Q
3Q
4Q
5Q
NC
6Q
7Q
8Q
11
19
12 13 14 15 16 17 18
NC - 无内部连接
OE不影响锁存器的内部操作。先前存储的数据可以被保留或新的数据能
输入而输出处于高阻抗状态。
为了确保上电或断电高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉
电阻器;该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN54ABT843的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。该
SN74ABT843的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
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PRODUCTION数据信息为出版日期。
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标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
9D
CLR
GND
NC
LE
PRE
9Q
版权
1997年，德州仪器
2D
1D
1
