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SN54ABT16373A ， SN74ABT16373A
16位透明D类锁存器
具有三态输出
SCBS160C - 1992年12月 - 修订1997年5月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
德州仪器成员
Widebus
家庭
国家的最先进的
EPIC-
ΙΙ
B
BiCMOS工艺设计
显著降低了功耗
闭锁性能超过500 mA每
JEDEC标准JESD -17
典型的V
OLP
（输出地弹跳）
< 0.8 V电压V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
高阻抗状态，在上电
和掉电
分布式V
CC
和GND引脚配置
最大限度地减少高速开关噪声
流通结构优化PCB
布局
高驱动输出（ -32 mA的我
OH
64 mA的我
OL
)
封装选择包括塑料300万
紧缩小外形封装（ DL）和超薄紧缩
小外形（ DGG ）包和380万
细间距陶瓷平板（ WD ）封装
用25密耳的中心到中心的间距
SN54ABT16373A 。 。 。 WD包装
SN74ABT16373A 。 。 。 DGG或DL包装
（ TOP VIEW ）
描述
在“ ABT16373A是16位透明D型
锁存器三态输出专
用于驱动高容性或相对
低阻抗负载。它们特别
适用于实现缓冲寄存器， I / O
口，双向总线驱动程序和工作
寄存器。
1OE
1Q1
1Q2
GND
1Q3
1Q4
V
CC
1Q5
1Q6
GND
1Q7
1Q8
2Q1
2Q2
GND
2Q3
2Q4
V
CC
2Q5
2Q6
GND
2Q7
2Q8
2OE
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29
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26
25
1LE
1D1
1D2
GND
1D3
1D4
V
CC
1D5
1D6
GND
1D7
1D8
2D1
2D2
GND
2D3
2D4
V
CC
2D5
2D6
GND
2D7
2D8
2LE
这些设备可以被用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能（ LE）的输入为高电平，
的Q输出跟随数据（D）输入端。当LE为低电平时， Q输出锁存设置水平
在D输入端。
具有缓冲的输出使能（OE）输入可用于放置在任何一个正常的逻辑状态的八个输出（高
或低逻辑电平），或一个高阻抗状态。在高阻抗状态下，输出没有负载也没有驱动
公交线路显著。高阻抗状态，增加驱动器提供驱动总线的能力
行，而不需要对接口或拉组件。
OE不影响锁存器的内部操作。旧的数据可以被保留或新的数据可以同时被输入
的输出处于高阻抗状态。
当V
CC
是介于0和2.1 V时，该装置是在上电期间或断电的高阻抗状态。
但是，为了确保上述2.1 V的高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;
该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN54ABT16373A的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。
该SN74ABT16373A的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
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Widebus和EPIC - ΙΙB是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1997年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
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