SN54ABT841 ， SN74ABT841A
10位总线接口D类锁存器
具有三态输出
SCBS196D - 1991年2月 - 修订1997年5月
D
D
D
D
D
D
D
国家的最先进的
EPIC-
ΙΙ
B
BiCMOS工艺设计
显著降低了功耗
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号（ C = 200 pF的， R = 0 ）
闭锁性能超过500 mA每
JEDEC标准JESD -17
典型的V
OLP
（输出地弹跳） < 1 V
在V
CC
= 5 V ，T
A
= 25°C
高阻抗状态，在上电
和掉电
高驱动输出（ -32 mA的我
OH
64 mA的我
OL
)
封装选择包括塑料
小外形（ DW ） ，收缩型小外形
（ DB ） ，以及超薄紧缩小外形（ PW ）
封装，陶瓷芯片载体（ FK ）
陶瓷平板（W ）封装和塑料（NT）
与陶瓷（ JT ）下降
SN54ABT841 。 。 。 JT或W包装
SN74ABT841A 。 。 。 DB ， DW ，NT或PW包装
（ TOP VIEW ）
OE
1D
2D
3D
4D
5D
6D
7D
8D
9D
10D
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
1Q
2Q
3Q
4Q
5Q
6Q
7Q
8Q
9Q
10Q
LE
SN54ABT841 。 。 。 FK包装
（ TOP VIEW ）
描述
该SN54ABT841和SN74ABT841A 10位
锁存器是专为驾驶设计的高度
容性或相对低的阻抗负载。
它们特别适用于实现
缓冲寄存器， I / O端口，双向总线
驱动器和工作寄存器。
十大透明D型锁存器提供真实
在它们的输出数据。
缓冲的输出使能（ OE ）输入可用于
放置10输出在任何一个正常的逻辑
状态（高或低逻辑电平）或
高阻抗状态。在高阻抗
状态时，输出既不负荷也不驱动总线
线显著。高阻抗状态，
提高驱动器提供驱动总线的能力
行，而不需要对接口或拉
组件。
3D
4D
5D
NC
6D
7D
8D
5
6
7
8
9
2D
1D
OE
NC
V
CC
1Q
2Q
4
3 2 1 28 27 26
25
24
23
22
21
20
10
11
19
12 13 14 15 16 17 18
3Q
4Q
5Q
NC
6Q
7Q
8Q
NC - 无内部连接
OE不影响锁存器的内部操作。先前存储的数据可以被保留或新的数据能
输入而输出处于高阻抗状态。
当V
CC
是介于0和2.1 V时，该装置是在上电期间或断电的高阻抗状态。
但是，为了确保上述2.1 V的高阻抗状态， OE应当连接到V
CC
通过上拉电阻;
该电阻的最小值由驾驶员的电流吸收能力来确定。
该SN54ABT841的特点是工作在-55 ° C至125°C的整个军用温度范围。该
SN74ABT841A的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
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标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
9D
10D
GND
NC
LE
10Q
9Q
版权
1997年，德州仪器
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