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PIC18F2420/2520/4420/4520
表26-1 ：
存储器的编程要求
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度-40°C
≤
T
A
≤
+ 85°C工业
特征
内部程序存储器
编程规范
(1)
D110
D113
V
PP
I
DDP
在MCLR / V的电压
PP
/ RE3引脚
在电源电流
程序设计
数据EEPROM存储器
D120
D121
E
D
V
DRW
字节耐力
V
DD
读/写
100K
V
民
1M
—
—
5.5
东/西-40 ° C至+ 85°C
V
使用EECON读/写
V
民
=最小工作
电压
9.00
—
—
—
13.25
10
V
mA
（注3）
民
TYP
最大
单位
条件
DC特性
PARAM
号
符号
D122
D123
D124
T
DEW
擦除/写周期时间
—
40
1M
4
—
10M
—
—
—
ms
年假设没有其他
规范违反
东/西-40 ° C至+ 85°C
T
RETD
特性保持时间
T
REF
总擦除/写数
刷新前循环
(2)
闪存程序存储器
电池续航
V
DD
对于阅读
V
DD
为块擦除
V
DD
对于外部定时擦除
或写
V
DD
对于自定时写
ICSP块擦除周期时间
ICSP擦除或写入周期时间
（外部定时）
自定时写周期时间
D130
D131
D132
E
P
V
PR
V
IE
10K
V
民
4.5
4.5
V
民
—
1
—
40
100K
—
—
—
—
—
东/西-40 ° C至+ 85°C
V
V
V
V
ms
ms
ms
年假设没有其他
规范违反
V
民
=最小工作
电压
使用ICSP端口
使用ICSP端口
V
民
=最小工作
电压
V
DD
＆ GT ; 4.5V
V
DD
＆ GT ; 4.5V
5.5
5.5
5.5
5.5
—
—
—
—
D132A V
IW
D132B V
PEW
D133
T
IE
4
—
2
100
D133A牛逼
IW
D133A牛逼
IW
D134
T
RETD
特性保持时间
数据，“典型值”栏中的5.0V ，25°C ，除非另有说明。这些参数仅供设计参考
只是，未经测试。
注1 ：
这些规范是通过使用表写编程的片上程序存储器
指令。
2:
请参阅
第7.8节“使用数据EEPROM ”
对数据的EEPROM的详细讨论
耐力。
3:
需要的只有单电源编程被禁止。
2004年Microchip的科技公司
初步
DS39631A页337
