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MBM29LV652UE-
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RY / BY
就绪/忙
该MBM29LV652UE提供RY / BY开漏输出引脚，以此来表示对主机系统的
嵌入式算法是正在进行或已经完成。如果输出为低时，器件是忙
无论使用哪种编程或擦除操作。如果输出为高，该装置已准备好接受任何读/写或
擦除操作。当RY / BY引脚为低电平时，该装置将不接受任何额外的编程或擦除
命令。如果MBM29LV652UE被放置在一个擦除挂起模式时， RY / BY输出都为高。
在编程期间， RY / BY引脚之后的第四个写脉冲的上升沿驱动为低电平。在擦除
操作中， RY / BY引脚后的第六写入脉冲的上升沿驱动为低电平。该RY / BY引脚将指示
复位脉冲期间的忙碌状态。参阅图12和图13进行了详细的时序图。该RY / BY
引脚拉高处于待机模式。
因为这是一漏极开路输出， RY / BY引脚可以连在一起并联一个上拉电阻到V
CC
.
数据保护
该MBM29LV652UE的目的是提供保护，防止意外删除或编程引起的
系统杂散电平信号，可能会在电源转换存在。在自动开机的设备
在阅读模式下复位内部状态机。另外，对于其控制寄存器结构，改变的
存储器内容只能成功完成特定的多总线周期的命令序列后发生。该
器件还集成了多项功能以防止生成的表单V无意中写周期
CC
电和
省电转变或系统噪声。
低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电和断电，写周期被锁定为V
CC
少
比V
LKO
（分钟）。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，命令寄存器被禁止，所有的内部编程/擦除电路都被禁止。
在此条件下的器件将复位到读模式。后续写入将被忽略，直到V
CC
水平
大于V
LKO
。它是用户的责任，以确保控制引脚为逻辑上正确，以防止
无意识当V
CC
高于V
LKO
（分钟） 。
如果嵌入式擦除算法被中断时，有可能在擦除扇区（多个）不能使用。
写脉冲“毛刺”保护
不到3纳秒（典型值）的OE脉冲噪声，CE ，否则我们将不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE = V任何一个抑制
IL
，CE = V
IH
，或者我们= V
IH
。要开始写， CE ，我们必须
是逻辑零，而OE是一个逻辑1 。
上电时禁止写入
上电设备的用WE = CE = V
IL
和OE = V
IH
将不接受WE的上升沿命令。
内部状态机自动复位，读取上电模式。
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