位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2841页 > MBM29LV400BC-12 > MBM29LV400BC-12 PDF资料 > MBM29LV400BC-12 PDF资料2第20页
MBM29LV400TC
-70/-90/-12
/MBM29LV400BC
-70/-90/-12
芯片擦除
芯片擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是芯片擦除命令进行。
芯片擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。当执行嵌入式擦除
算法指令序列的设备将自动编程和验证整个存储器的所有
零数据模式之前，电擦除（准备阶段函数） 。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。
自动擦除开始的最后一个WE脉冲的命令序列和终止的上升沿
当DQ数据
7
为“1” （见写操作状态一节。 ） ，此时设备返回读取
模式。
芯片擦除时间;扇区擦除时间
×
所有行业+芯片编程时间（预编程）
图21示出了嵌入式擦除
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
扇区擦除
扇区擦除是六总线周期的操作。有两种“解锁”写周期。这些后面是写
“建立”命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。部门
地址（所希望的扇区内的任意地址的位置）被锁定在WE的下降沿，而命令
（数据= 30H）被锁定在WE的上升沿。后超时50
s
从最后一个扇区的上升沿
擦除命令后，扇区擦除操作将开始。
多个部门同时可以通过编写六总线周期的操作上表7.这个顺序被删除
随后的扇区擦除命令在其他部门的地址写入所需的是同时
删除。写操作之间的时间必须小于50微秒，否则该命令将不被接受，
擦除将启动。建议在处理器的中断在这段时间内，以保证这个被禁用
条件。可以重新启用中断的最后一个扇区擦除命令写入后。超时50
s
从最后的上升沿，我们将启动扇区擦除命令（ S）的执行。如果另一个下降
在我们的边缘内发生50
s
超时时段的定时器被复位。 （监视器DQ
3
以确定是否
扇区擦除定时器窗口仍处于打开状态，见DQ
3
，扇区擦除定时器。 ）任何命令比其他行业
擦除或在此超时周期擦除挂起将这些设备复位到读模式中，忽略了以前
命令字符串。重置设备，一旦执行了该部门开始将损坏的数据。在这
情况下，重新启动这些部门的擦除，让他们来完成。 （请参阅写操作状态部分
对于扇区擦除定时器操作。 ）中的扇区擦除缓冲器可以以任何顺序和以任何做
扇区数（ 0 10 ） 。
扇区擦除不要求用户在擦除之前的设备进行编程。该设备可自动程序
在该扇区的所有存储单元之前应当电擦除（准备阶段的功能）被擦除。当擦除
一个或多个扇区的其余未被选择的扇区不受影响。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。
自动扇区擦除的50后开始
s
时间从在WE脉冲的最后一个上升沿
扇区擦除指令脉冲和终止时的DQ数据
7
为“1” （见写操作状态一节。 ）
此时，设备返回到读模式。数据轮询必须在一个地址中的任何来进行
该部门被删除。多扇区擦除时间; [扇区擦除时间+部门计划时间
（预编程） ]
×
扇区擦除次数
图21示出了嵌入式擦除
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
20
