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MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
扇区擦除是六总线周期操作。有两种“解锁”写周期，接着通过写“设置”
命令。两个“解锁”写周期再其次是扇区擦除命令进行。扇区地址
（所需扇区内的任意地址的位置）被锁定在WE的下降沿，而命令（数据
= 30H）被锁定在WE的上升沿。过了一段时间，出50
s
从最后一个扇区擦除的上升沿
命令后，扇区擦除操作将开始。
多个部门可以并处上表7.写作六总线周期的操作序列，这是被删除
接着用扇区擦除命令在其他部门的地址写入所需的是同时
删除。写操作之间的时间必须小于50
s
否则，该命令将不被接受，
擦除将启动。建议在处理器的中断在这段时间内，以保证这个被禁用
条件。可以重新启用中断的最后一个扇区擦除命令写入后。超时50
s
从最后的上升沿，我们将启动扇区擦除命令（ S）的执行。如果另一个下降
在我们的边缘内发生50
s
超时时段的定时器被复位。监控DQ
3
以确定该扇区
清除定时器窗口仍处于打开状态。 （见DQ
3
，扇区擦除定时器。 ）任何命令比扇区擦除等
或在此超时周期擦除挂起将设备复位到读模式中，忽略了以前
命令字符串。重置设备后excution已经开始将损坏的扇区中的数据。在这种情况下，
重新启动这些部门的擦除，让他们来完成。 （请参考写操作状态部分
扇区擦除定时器操作。 ）加载扇区擦除缓存可以以任何顺序与任何做
扇区数（ 0 34 ） 。
扇区擦除不要求用户在擦除之前对器件进行编程。设备会自动程序
在该扇区的所有存储单元之前应当电擦除（准备阶段的功能）被擦除。当擦除
一个或多个扇区的其余未被选择的扇区不受影响。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。 （参见图8 ）
自动扇区擦除的50后开始
s
时间从在WE脉冲的最后一个上升沿
扇区擦除指令脉冲和终止时的DQ数据
7
为“1” （见写操作状态部分）
此时，设备将返回到读模式。数据轮询必须在一个地址中的任何来进行
该部门被删除。多扇区擦除时间; 【部门计划时间（预编程） +扇区擦除
时间]
×
扇区擦除次数。
图21示出了嵌入式擦除
TM
使用算法典型的命令字符串和总线操作。
擦除挂起/恢复
擦除挂起命令允许用户中断一个扇区擦除操作，然后进行数据读取
或从程序到部门没有被删除。此命令只适用在扇区擦除
操作包括超时周期扇区擦除。擦除挂起命令，如果被忽略
芯片擦除操作过程中写入或嵌入式程序算法。书面方式擦除挂起命令
在扇区擦除超时导致立即终止超时周期的和悬挂
擦除操作。
写擦除恢复命令恢复擦除操作。是“无关”的时候，地址
写擦除暂停或删除恢复命令。
当擦除挂起命令的扇区擦除操作期间写入，该设备将最大
20
s
暂停擦除操作。当设备已进入擦除暂停模式时， RY /
按输出引脚和DQ
7
位将处于逻辑“1” ，和DQ
6
将停止切换。用户必须使用的地址
擦除扇区读取DQ
6
和DQ
7
以确定是否擦除操作已经暂停。进一步
擦除挂起命令写入被忽略。
当擦除操作已被暂停，设备默认为擦除暂停阅读的模式。阅读
在这种模式下的数据是一样的标准读模式读取所不同的是，数据必须被读出
行业还没有被擦除暂停。从擦除悬浮部门先后读书，而
装置处于擦除暂停读模式将导致DQ
2
切换。 （见DQ节
2
.)
进入后擦除暂停读模式中，用户可以通过写入适当的编程设备
对于程序的命令序列。这个程序模式被称为擦除挂起程序模式。同样，
在这种模式下编程是一样的节目在常规程序模式不同的是，数据必须
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