位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2238页 > MBM29LV160B-12 > MBM29LV160B-12 PDF资料 > MBM29LV160B-12 PDF资料1第12页
MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
s
功能说明
读取模式
该MBM29LV160T / B具有一定的顺序在输出获得的数据应满足两个控制功能。
CE是功率控制和应使用一个设备的选择。 OE为输出控制和应使用
到栅极的数据到输出引脚，如果一个设备被选中。
地址访问时间（t
加
）等于从稳定地址延迟到有效输出数据。芯片使能
访问时间（吨
CE
）是从稳定的地址和稳定的CE到在输出引脚的有效数据的延迟。输出
允许访问的时间是从操作环境的有效数据在输出引脚的下降沿的延迟。 （假设
地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
时间。 ）请参阅图5.1时序规范。
待机模式
有两种方法来实现对MBM29LV160T / B设备的待机模式的方法。一个是通过同时使用
CE和RESET引脚;其他仅通过RESET引脚。
当使用两个引脚，一个CMOS待机模式实现CE和RESET输入，无论是在V举行
CC
±0.3 V.
在这种状态下所消耗的电流小于5
A
最大。在嵌入式算法操作，V
CC
有源电流（I
CC2
）是必需的，即使CE = “H”。该装置可以读取与标准访问时间（t
CE
）从
这些待机模式之一。
当仅使用RESET引脚，一个CMOS待机模式实现了与在V举办的RESET输入
SS
±0.3 V
（CE = “H”或“L”） 。在这种状态下所消耗的电流小于5
A
最大。一旦RESET引脚
采取高，设备需要吨
RH
的唤醒时间前，输出是有效的读访问。
在待机模式下，输出处于高阻抗状态，独立的参考输入的。
自动休眠模式
有一种称为自动睡眠模式中读出的克制功耗功能
MBM29LV160T / B的数据。此模式可有效地与提出请求的低功耗的应用程序中使用
如手持终端。
要激活此模式下， MBM29LV160T / B自动切换到低功耗模式时的地址保持
稳定150纳秒。这是没有必要的控制的CE ，WE， OE和在该模式。在这样的模式下，电流
消耗通常为1
A
（ CMOS电平） 。
标地址的访问定时提供新数据时，地址被改变了。而在睡眠模式下，输出
数据被锁存并始终可用的系统。
输出禁用
如果在OE输入处于逻辑高电平（V
IH
） ，从设备输出被禁止。这将导致输出管脚
处于高阻抗状态。
自选
所述自动选择模式允许读出的从装置的二进制码，并将确定它的制造商
和类型。这样做的目的是允许编程设备到设备自动匹配要被编程
与其相应的规划算法。所述自动选择指令也可以被用来检查状态
对写保护部门。 （参见表4.1和4.2 。 ）这种模式是官能在整个温度范围内
该装置。
以激活此模式中，编程设备必须迫使V
ID
（ 11.5 V至12.5 V）在地址引脚上的
9
。两
标识符字节然后可从该装置的输出通过切换地址A测序
0
从V
IL
到V
IH
。所有
地址是不关心除A
0
, A
1
和A
6
(A
-1
） 。 （见表2，表3）。
12
