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富士通半导体
数据表
DS05-20864-3E
FL灰内存
CMOS
4M （ 512K
×
8 ）位
MBM29LV004TC
-70/-90/-12
/MBM29LV004BC
-70/-90/-12
s
特点
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
40针TSOP （ I） （包后缀： PTN - 普通型弯， PTR - 反弯型）
40引脚SON （包后缀： PNS ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
70 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
一个16K字节， 2 8K字节，1 32K字节，和7的64K字节
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
扇区保护设置功能通过扩展行业保护命令
临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
