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富士通半导体
数据表
DS05-20860-3E
FL灰内存
CMOS
8M (1M
×
8/512K
×
16 ）位
MBM29DL800TA
-70/-90/-12
/MBM29DL800BA
-70/-90/-12
s
特点
单3.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
同时操作
读而擦除或读时，程序
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界范围的引脚（引脚与MBM29LV800TA / BA兼容）
48引脚TSOP （ I） （包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）
48球FBGA （包后缀： PBT ）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
70 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
两个16K字节， 4 8K字节， 2 32K字节，而14 64K字节。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
（续）
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
