M29W400T ， M29W400B
表16A 。写AC特点，芯片使能受控
(T
A
= 0至70℃ ， -20℃至85 ℃或-40至85 ℃）
M29W400T / M29W400B
符号
ALT
参数
-90
V
CC
= 3.0V至3.6V
C
L
= 30pF的
民
t
AVAV
t
WLEL
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
EHWH
t
EHEL
t
AVEL
t
ELAX
t
GHEL
t
VCHWL
t
EHGL
t
PHPHH
(1,2)
-100
V
CC
= 2.7V至3.6V
C
L
= 30pF的
民
100
0
50
50
0
0
30
0
50
0
50
0
500
500
90
90
4
最大
单位
最大
t
WC
t
WS
t
CP
t
DS
t
DH
t
WH
t
CPH
t
AS
t
AH
地址有效到下一个地址有效
写使能低到芯片使能低
芯片使能低到芯片使能高
输入有效到芯片使能高
芯片使能高到输入转换
芯片使能高到写使能高
芯片使能高到芯片使能低
地址有效到芯片使能低
芯片使能低到地址转换
输出使能高芯片使能低
90
0
45
45
0
0
30
0
45
0
50
0
500
500
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
ns
ns
ns
ns
s
t
VCS
t
OEH
t
VIDR
t
RP
t
忙
t
RSP
V
CC
高到写使能低
芯片使能高到输出使能低
RP上升时间到V
ID
RP脉冲宽度
程序擦除有效到RB延迟
RP高到写使能低
t
PLPX
t
EHRL （1）
t
PHWL （1）
4
注意事项：
只有1.样品，而不是100 ％测试。
2.本定时对临时块unprotection的操作。
擦除挂起（ ES ）指令。
块
擦除操作可能会suspendedby这个指令
化其中包括写入命令B0H的
没有任何特定的地址。无编码周期
所需。它允许数据的读出从另一
块和编程的同时，另一块
擦除操作正在进行中。擦除挂起是
只有块擦除指令期间接受
执行。擦除过程中写这个命令
超时会，除了暂停擦除，
终止超时。切换位DQ6站
切换时，在P / E.C 。是suspended.The切换
位将停止后，切换between0.1μs和为15μs
擦除挂起（ ES ）命令已令状
10 。该设备将自动设置为
读取内存阵列模式。当擦除可持
挂起，读的数据块被擦除会
输出DQ2翻转，DQ6 “1” 。 A读的
块不被擦除回报的有效数据。中
悬挂的内存只会给回应
删除恢复ER和程序指令PG
系统蒸发散。在编程操作过程中可启动
擦除挂起中的一个块不被
删除。这将导致两个DQ2和DQ6的肘节
当数据正被编程。的aread /复位
命令将最终中止擦除和结果
在块无效数据被擦除。
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