M29W400T
M29W400B
4兆位（ 512KB ×8或256Kb的X16 ，引导块）
低压单电源闪存
不适用于新设计
M29W400T和M29W400B被替换
分别由M29W400BT和
M29W400BB
2.7V至3.6V电源电压
编程，擦除和读取操作
快速存取时间：为90ns
快速编程时间
- 为10μs按字节/ 16μs由Word典型
编程/擦除控制器（ P / E.C 。 ）
- 程序逐字节或字的字
- 状态寄存器的位和就绪/忙输出
内存块
- 引导块（顶部或底部的位置）
- 参数及主要街区
块，多块和芯片擦除
多块保护/ TEMPORARY
解除保护模式
擦除挂起和恢复模式
- 阅读并计划在另一座
擦除挂起
低功耗
- 待机和自动待机
每10万编程/擦除周期
块
20年数据保留
- 在1ppm以下缺陷率/年
电子签名
- 制造商代码： 0020H
- 设备代码， M29W400T ： 00EEh
- 设备代码， M29W400B ： 00EFh
描述
该M29W400是一个非易失性存储器可
可在块或芯片级电擦除和
在系统编程的逐Byteor字处理
由字只使用一个单一的2.7V至3.6V V基础
CC
供应量。对于编程和擦除操作
内部产生所需的高电压。
该设备还可以在标准编程
程序员。
该阵列矩阵式组织使每个块
被擦除和重新编程，而不影响
其他模块。块可以防止亲
graming和擦除编程设备，
1999年11月
44
1
TSOP48 （ N）
12 ×20mm的
SO44 （M）的
BGA
FBGA48 （ZA）
8×6的焊锡球
图1.逻辑图
VCC
18
A0-A17
W
E
G
RP
M29W400T
M29W400B
15
DQ0-DQ14
DQ15A–1
字节
RB
VSS
AI02065
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这是不推荐用于新设计的产品还是信息productionbut 。
