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IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(3)
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,4)
输出高阻时间
(1,4)
芯片使能上电时间
(4)
芯片禁用断电时间
(4)
20
—
—
3
0
—
0
—
—
20
20
11
—
—
10
—
20
25
—
—
—
3
0
—
0
—
—
25
25
12
—
—
10
—
25
35
—
—
—
3
0
—
0
—
—
35
35
20
—
—
15
—
35
55
—
—
—
3
5
—
0
—
—
55
55
25
—
—
25
—
50
100
—
—
—
10
5
—
0
—
—
100
100
40
—
—
40
—
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
7132X20
(2)
7132X25
(5)
7132X35
7132X55
7132X100
(5)
7142X35
7142X55
7142X100
7142X25
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压输出负载测试（图2 ） 。
2. Com'l只， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。 PLCC封装而已。
在零件号3 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
4.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。
5.不适用于DIP封装。
2689 TBL 08
读周期第1 ，任何一方的时序波形
(1)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据有效
数据有效
t
OH
忙
OUT
t
BDDH
(2,3)
2692 DRW 07
注意事项：
1. R/
W
= V
IH ，
CE
= V
白细胞介素，
并
OE
= V
IL 。
地址是有效的前向与巧合
CE
变为低电平。
2. t
BDD
延迟仅需要在相反的端口完成的写操作相同的地址位置的情况。对于同时读
操作，
忙
具有有效的输出数据没有任何关系。
3.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
,
t
AA
和
t
BDD
.
6.02
5
