IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
数据保持特性
（仅LA版）
符号
V
DR
I
CCDR
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
测试条件
V
CC
= 2.0V,
CE
≥
V
CC
-0.2V
米尔。
lDT7132LA/IDT7142LA
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
—
—
0
t
RC
(2)
—
100
100
—
—
—
4000
1500
—
—
单位
V
A
A
ns
ns
2692 TBL 06
V
IN
≥
V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V Com'l 。
t
CDR
t
R
(3)
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1 ，图2和3
2692 TBL 07
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2.0V
4.5V
t
R
CE
V
DR
V
IH
V
IH
2692 DRW 05
5V
1250
数据
OUT
5V
1250
数据
30pF*
100pF的55和100纳秒版本
OUT
775
775
5pF*
2692 DRW 06
图1. AC输出负载测试
5V
270
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
LZ
, t
WZ
和叔
OW
)
*包括范围和夹具
忙
or
INT
30pF*
100pF的55和100纳秒版本
网络连接gure 3 。
忙
和
INT
AC输出负载测试
6.02
4
