IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
时序波形写周期NO 。 1 ， （R /
W
控制时序）
(1,5,8)
t
WC
地址
t
HZ
(7)
OE
t
AW
CE
t
AS(6)
R/
t
WP(2)
t
WR （3）
t
HZ
(7)
W
t
WZ （ 7 ）
t
OW
(4)
(4)
数据
OUT
t
DW
数据
IN
t
DH
2692 DRW 09
时序波形写周期NO 。 2，（
CE
控制时序）
(1,5)
t
WC
地址
t
AW
CE
t
AS(6)
R/
t
EW （2）
t
WR （3）
W
t
DW
t
DH
数据
IN
2692 DRW 10
注意事项：
1. R/
W
or
CE
必须在所有的地址转换为高。
2.在重叠（ T A写操作
EW
或T
WP
）的
CE
=
V
IL
和R /
W
=
V
IL
.
3. t
WR
是从较早的测量
CE
或R /
W
变高，以在写入周期的末尾。
4.在此期间，该L / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
5.如果
CE
同时出现低电平的跳变或R后/
W
低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.时间取决于其使能信号（
CE
或R /
W
）是断言最后。
7.此参数是设备特性决定的，而不是生产测试。转变是从稳态测量+/- 500mV的
使用输出测试负载（图2）。
8.如果
OE
是低A R时/
W
控制的写入周期中，写入脉冲宽度必须吨的大
WP
或（T
WZ
+ t
DW
），以允许I / O驱动关闭
数据放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是高A R时/
W
控制的写周期，这一要求并不适用，
记录脉冲可以是短至指定吨
WP
.
6.02
7
