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IDT7132SA / LA和IDT 7142SA / LA
高速2K ×8双端口静态RAM
军事,工业和商业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(7,8)
7132X20
(1)
7142X20
(1)
Com'l只有
符号
时间(对于主IDT7132只)
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
WDD
t
WH
t
DDD
t
APS
t
BDD
从地址访问时间
禁止时间从地址
从芯片使能存取时间
禁止时间从芯片使能
写脉冲数据延迟
(2)
写后举行
(6)
写数据有效读取数据的延迟
(2)
仲裁优先建立时间
(3)
禁止以有效数据
(4)
____
____
____
____
____
7132X25
(2)
7142X25
(2)
Com'l ,工业
&放大器;军事
分钟。
马克斯。
7132X35
7142X35
Com'l &
军事
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
20
20
20
50
____
____
____
____
____
____
20
20
20
20
50
____
____
____
____
____
____
20
20
20
20
60
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
____
15
____
20
____
35
____
35
____
35
____
5
____
5
____
5
____
25
35
35
时间(对于从IDT7142专用)
t
WB
t
WH
t
WDD
t
DDD
输入
(5)
写后举行
(6)
写脉冲数据延迟
(2)
写数据有效读取数据的延迟
(2)
0
12
____
____
____
____
0
15
____
____
____
____
0
20
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
2692 TBL 11A
40
30
50
35
60
35
7132X55
7142X55
Com'l &
军事
符号
时间(对于主IDT7132只)
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
WDD
t
WH
t
DDD
t
APS
t
BDD
从地址访问时间
禁止时间从地址
从芯片使能存取时间
禁止时间从芯片使能
写脉冲数据延迟
(2)
写后举行
(6)
写数据有效读取数据的延迟
(2)
仲裁优先建立时间
(3)
禁止以有效数据
(4)
____
____
____
____
____
7132X100
7142X100
Com'l &
军事
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
30
30
30
30
80
____
____
____
____
____
____
50
50
50
50
120
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
20
____
20
____
55
____
100
____
5
____
5
____
50
65
时间(对于从IDT7142专用)
t
WB
t
WH
t
WDD
t
DDD
输入
(5)
写后举行
(6)
写脉冲数据延迟
(2)
写数据有效读取数据的延迟
(2)
0
20
____
____
____
____
0
20
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
2692 TBL 11B
80
55
120
100
注意事项:
1. PLCC封装而已。
2.端口到端口延迟通过从写端口到端口读取RAM单元,请参阅“写时序波形与港口-to -端口读取和BUSY ”。
3.为了确保两个端口的较早者获胜。
4. t
BDD
是一个计算出的参数,并且是0越大,叔
WDD
– t
WP
(实际的)或T
DDD
– t
DW
(实际的) 。
5.为了确保写周期的争端口"A"期间禁止端口"B" 。
6.为了确保写周期的争端口"A"完成后,在端口"B" 。
部分7号“X”表示额定功率( SA或LA) 。
8.工业级温度:特定速度,包和权力联系您的销售办事处。
11
6.42

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