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IDT 70V27S / L
高速3.3V 32K ×16的双端口静态RAM
商用和工业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,6,7)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
70V27X35
Com'l &工业
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
，输出禁用
SEM
= V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND'L
Com'l
IND'L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
135
135
135
135
22
22
22
22
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
马克斯。
235
190
270
235
45
35
55
45
140
125
160
140
6
3
10
6
135
120
160
135
70V27X55
Com'l只有
典型值。
(2)
125
125
125
125
15
15
15
15
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
0.2
75
75
75
75
马克斯。
225
180
260
225
40
30
50
40
140
125
160
140
6
3
10
6
135
120
160
135
3603 TBL 10B
单位
mA
I
SB1
待机电流
（博个端口 - TTL电平
输入）
CE
L
=
CE
R
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
最大
(3)
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f = f
最大
(3)
Com'l
mA
IND'L
I
SB3
全待机电流（两个
端口 - 所有CMOS电平
输入）
Com'l
IND'L
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有CMOS
电平输入）
Com'l
IND'L
mA
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 90毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC ，
并使用“AC测试条件”输入
GND水平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.请参阅芯片使能真值表。
7.工业级温度：其他的速度，封装和权力联系您的销售办事处。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为5ns最大。
1.5V
1.5V
图1和图2
3603 TBL 11
3.3V
3.3V
590
数据
OUT
590
数据
OUT
忙
INT
435
30pF
435
5pF*
3603 DRW 04
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
8
