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IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
描述
该IDT70V26是一个高速16K ×16的双端口静态RAM 。
该IDT70V26被设计为用作一个独立的256K位双核
端口RAM或作为一个组合主/从双口RAM为32
位或更多的字的系统。采用IDT主/从双端口
在32位或更宽的存储器系统的应用程序的结果的RAM的方法
在全速无差错而无需附加的操作
离散逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
断特性所控制
CE
允许芯片上的电路的每一个
端口进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为300mW的运行。
该IDT70V26封装在陶瓷84引脚的PGA和
84引脚PLCC 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
OE
L
V
CC
读/写
L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
SEM
L
CE
L
A
13L
A
12L
A
11L
UB
L
指数
11 10 9 8 7 6
I / O
8L
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
74
73
72
71
70
69
68
67
IDT70V26J
J84-1
(4)
84引脚PLCC
顶视图
(5)
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
LB
L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
忙
L
GND
M / S
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
2945 DRW 02
54
32
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
GND
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
I / O
10R
I / O
15R
OE
R
读/写
R
GND
SEM
R
CE
R
UB
R
LB
R
A
13R
A
12R
A
11R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.15英寸x 1.15英寸x 0.17英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9R
6.42
2
A
10R
A
9R
A
8R
