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IDT70V26S/L
高速16K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
读周期波形
(5)
t
RC
ADDR
t
AA
(4)
t
ACE
t
AOE
OE
t
ABE
UB ， LB
(4)
(4)
(4)
CE
读/写
t
LZ
数据
OUT
(1)
t
OH
有效数据
(4)
(2)
t
HZ
忙
OUT
t
BDD
(3,4)
2945 DRW 07
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE ， CE， LB ，
or
UB 。
2.时间取决于该信号拉高第一
CE， OE ， LB ，
or
UB 。
3. t
BDD
延迟是必需的唯一的情况下相反的端口完成的写操作相同的地址位置。可同时读取操作
忙
没有
关系到有效输出数据。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
, t
AA
或T
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(5,6)
70V26X25
Com'l只有
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
SWRD
t
SPS
写周期时间
芯片使能到结束时的写
(3)
地址有效到结束时的写
地址建立时间
(3)
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
(1,2)
数据保持时间
(4)
写使能在高阻输出
(1,2)
输出从主动结束了，写
(1,2,4)
SEM
标志写阅读时间
SEM
国旗竞争窗口
25
20
20
0
20
0
15
____
____
70V26X35
Com'l只有
分钟。
马克斯。
70V26X55
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
35
30
30
0
25
0
20
____
____
55
45
45
0
40
0
30
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2945 TBL 12
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
15
____
20
____
25
____
0
____
0
____
0
____
15
____
20
____
25
____
0
5
5
0
5
5
0
5
5
____
____
____
____
____
____
注意事项：
1.转换测量0mV从低或高阻抗电压与输出负载测试（图2 ） 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.要访问的RAM ，
CE
= V
IL
和
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和
SEM
= V
IL
。任何一个条件必须是适用于整个吨
EW
时间。
4.规范吨
DH
必须通过该设备的所有操作条件下供给的写入数据到RAM来满足。虽然吨
DH
和T
OW
值会有所不同的过电压和
温度，实际吨
DH
总是会比实际吨小
OW
.
部分5号“X”表示额定功率（S或L ） 。
6.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
6.42
8
