CD54HC640 ， CD74HC640 ， CD54HCT640 ， CD74HCT640
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
静态器件
当前
三态泄漏
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
三态泄漏
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
OZ
V
CC
和
GND
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
I
CC
I
OZ
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
IL
或V
IH
I
O
（MA ）
0
V
O
=
V
CC
or
GND
25
o
C
民
-
-
典型值
-
-
最大
8
±0.5
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
-
-
最大
80
±5
民
-
-
最大
160
±10
单位
A
A
V
CC
(V)
6
6
-6
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
6
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
V
O
=
V
CC
or
GND
-
5.5
5.5
5.5
-
-
-
-
-
-
±0.1
8
±0.5
-
-
-
±1
80
±5
-
-
-
±1
160
±10
A
A
A
I
CC
（注2 ）
V
CC
-2.1
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
A
HCT输入负载表
输入
DIR
OE ，A
B
单位负载
0.9
1.5
1.5
注：机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版，例如，
最大360μA 25
o
C.
4
