CAT24WC257
256K位I
2
串行EEPROM CMOS
（ CAT24WC257不推荐用于新设计。见CAT24FC257数据表。 ）
H
根
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
特点
I
1MHz的我
2
C总线兼容*
I
1.8到6伏的操作
I
低功耗CMOS技术
I
64字节页写缓冲
I
自定时写周期自动清零
I
商用，工业和汽车
I
写保护功能
- 前1/4阵列保护时， WP在V
IH
I
100,000编程/擦除周期
I
百年数据保留
I
8引脚DIP或8引脚SOIC
I
可用"Green"封装选项
温度范围
描述
该CAT24WC257是256K位串行CMOS EEPROM
内部组织为每个8位32,768字。
Catalyst的先进CMOS技术实质上
降低设备功耗的要求。该CAT24WC257
具有64字节页写缓存。该器件的工作
经由I
2
C总线串行接口，并提供8引脚
DIP或8引脚SOIC封装。
引脚配置
DIP封装（P ， L）
A0
A1
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
框图
外部负载
DOUT
确认
VCC
VSS
字地址
缓冲器
COLUMN
解码器
512
检测放大器
移位寄存器
SOIC封装（J ，W ， K，X ）
A0
A1
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
WP
SCL
SDA
SDA
START / STOP
逻辑
XDEC
WP
控制
逻辑
512
EEPROM
512X512
引脚功能
引脚名称
A0, A1
SDA
SCL
WP
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
串行数据/地址
串行时钟
写保护
+ 1.8V至+ 6.0V电源
地
无连接
A0
A1
SLAVE
地址
比较
SCL
状态计数器
存储数据
高电压/
定时控制
* Catalyst半导体是由飞利浦公司获发牌进行的I
2
C总线协议。
2004 Catalyst半导体公司
特性如有变更，恕不另行通知
1
文档。 1030号，英文内容
