AT49BV/LV002(N)(T)
项目周期特点
符号
t
BP
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WPH
t
EC
参数
字节编程时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
擦除周期时间
0
70
70
0
90
90
10
民
典型值
30
最大
50
单位
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
秒
项目周期波形
A0 - A17
部门或芯片擦除周期波形
OE
(1)
CE
t
WP
WE
t
WPH
t
AS
A0 - A17
t
AH
5555
t
DH
2AAA
5555
5555
2AAA
注2
t
DS
数据
AA
55
80
AA
55
注3
t
EC
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
4个字节
BYTE 5
注意事项：
1.
2.
3.
OE要高只有当我们和CE都很低。
对于芯片擦除，地址应为5555扇区擦除，地址取决于部门是被删除。
（见注4下命令定义。 ）
对于芯片擦除，数据应该是10H ，和扇区擦除，数据应该是30H 。
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