位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1892页 > AS7C331MPFS18A > AS7C331MPFS18A PDF资料 > AS7C331MPFS18A PDF资料1第1页
十二月2004
AS7C331MPFS18A
3.3V 1M ×18流水线突发同步SRAM
特点
组织： 1,048,576 X18位
快速的时钟速度为166MHz的
快速时钟到数据存取： 3.4 / 3.8纳秒
快速OE访问时间： 3.4 / 3.8纳秒
完全同步寄存器到寄存器操作
单周期解选
异步输出使能控制
提供100引脚TQFP封装
单个字节的写入和全局写
多芯片能够很容易地扩展
3.3 V核心供电
2.5 V或3.3V的I /带独立V O操作
DDQ
线性或交错突发控制
常见的数据输入和数据输出
贪睡模式，降低功耗，待机
逻辑框图
LBO
CLK
ADV
ADSC
ADSP
A[19:0]
CLK
CS
CLR
突发的逻辑
Q
20
CS
地址
D
20
18 20
1M ×18
内存
ARRAY
18
18
注册
CLK
GWE
BW
b
BWE
BW
a
CE0
CE1
CE2
D
DQB
Q
CLK
D
DQA
Q
字节写
注册
字节写
注册
CLK
D
2
OE
CE
CLK
D
ZZ
启用
注册
Q
产量
注册
CLK
输入
注册
CLK
动力
下
启用
Q
延迟
注册
CLK
OE
18
DQ [ A，B]
选购指南
-166
最小周期时间
最大时钟频率
最大时钟存取时间
最大工作电流
最大待机电流
最大的CMOS待机电流（DC）的
6
166
3.4
290
90
60
-133
7.5
133
3.8
270
80
60
单位
ns
兆赫
ns
mA
mA
mA
12/23/04, v 2.6
半导体联盟
1 19
版权所有联半导体公司。版权所有。
