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此外， DQ2 ，也可用于确定
该部门正在被删除。当该装置处于
擦除模式， DQ2切换，如果该位是从读
擦除扇区。
RY / BY
就绪/忙
该Am29F016提供RY / BY漏极开路输出
针，以此来指示主机系统说明该雇
层状算法是正在进行或已
完成。如果输出为低，该设备是忙
无论是编程或擦除操作。如果输出是
高，设备已准备好接受任何读/写或
擦除操作。当RY / BY引脚为低电平时，该装置
将不接受任何额外的编程或擦除的COM
mands除擦除的挂起的COM
命令。如果Am29F016被放置在一个擦除挂起
模式中， RY / BY输出都为高。
在编程期间， RY / BY引脚被驱动后低
第四WE脉冲的上升沿。在擦除
操作时， RY / BY引脚后上升拉低
第六WE脉冲的边缘。该RY / BY引脚将指示
复位脉冲期间的忙碌状态。请参阅
图13为一详细的时序图。该RY / BY引脚
被拉高处于待机模式。
因为这是一漏极开路输出，几个RY / BY引脚
可以连在一起，在平行于上拉电阻
到V
CC
.
RESET引脚可连接到系统复位输入。
因此，如果嵌入在系统复位时
DED编程或擦除算法，该设备将非盟
tomatically复位到读模式，这将使
系统的微处理器能够读取开机连接固件
从FLASH存储器。
数据保护
该Am29F016的目的是提供保护，防止
意外擦除或编程引起的杂散
可能电源跃迁过程中存在的制度层面的信号
系统蒸发散。上电时，设备会自动复位
内部状态机在读取模式。另外，对于
它的控制寄存器结构，改变了MEM-的
储器的内容只出现成功完成后，
特定网络多总线周期的命令序列。
该器件还集成了多项功能以预
发泄从V不慎造成的写周期
CC
上电和掉电转换或系统噪声。
低V
CC
写禁止
以避免在V的写周期开始
CC
上电
和断电，写周期被锁定为V
CC
小于3.2 V（典型3.7 V） 。如果V
CC
＆ LT ; V
LKO
，的COM
命令寄存器被禁止，所有内部的程序/
擦除电路都被禁止。在这种条件下的DE-
副将复位到读模式。随后的写操作
被忽略，直到V
CC
电平大于V
LKO
。这是
用户的责任，以确保控制引脚
在逻辑上是正确的，以防止意外的写入
当V
CC
高于3.2 V.
RESET
硬件复位
该Am29F016装置可以通过驱动复位
RESET引脚到V
IL
。 RESET引脚必须保持低
(V
IL
）为至少500毫微秒。任何正在进行的操作会
被终止，并且内部状态机将
复位到读模式20
s
之后， RESET引脚
驱动为低电平。如果一个亲中发生硬件复位
克的操作，在该特定位置的数据将
是不确定的。
当RESET引脚为低电平时，内部复位
完成后，设备进入待机模式，无法
被访问。另外请注意，所有的数据输出引脚
三态的复位脉冲的持续时间。一旦
RESET引脚为高电平时，设备需要500纳秒
醒来的时间，直到输出是有效的读取权限。
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）的OE ， CE噪声脉冲或
我们将不会启动写周期。
逻辑INHIBIT
写作是由持有OE = V任何一个抑制
IL
,
CE = V
IH
或WE = V
IH
。要启动一个写周期CE和
我们必须是一个逻辑零，而OE是一个合乎逻辑的。
上电时禁止写入
上电设备与WE = CE = V
IL
和
OE = V
IH
不接受的命令上涨
我们的优势。内部状态机是自动
matically复位到上电时读取模式。
Am29F016
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