功率晶体管
2SB0941 ， 2SB0941A
PNP硅外延平面型
对于低频功率放大
补充2SD1266和2SD1266A
I
特点
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的
线性
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝
16.7
±0.3
0.7
±0.1
10.0
±0.2
5.5
±0.2
2.7
±0.2
单位：mm
4.2
±0.2
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
4.2
±0.2
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
收藏家基地
电压
集电极
发射极电压
2SB0941
2SB0941A
2SB0941
2SB0941A
V
EBO
I
CP
I
C
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
P
C
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
60
80
60
80
5
5
3
35
2
150
55
to
+150
°C
°C
V
A
A
W
V
单位
V
浸焊
(4.0)
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
14.0
±0.5
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1 2 3
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
EIAJ ： SC- 67
TO- 220F封装
结温
储存温度
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
集电极截止
当前
集电极截止
当前
发射Cuto FF电流
集电极到发射极
电压
2SB0941
2SB0941A
h
FE1 *
h
FE2
基地发射极电压
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注） *：等级分类
秩
h
FE1
Q
70至150
P
120至250
排序可以用普通级（PQ秩进行
FE1
= 70 250）中的
等级分类。
V
BE
V
CE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
V
CE
=
4
V，I
C
=
1
A
V
CE
=
4
V，I
C
=
3
A
V
CE
=
4
V，I
C
=
3
A
I
C
=
3
A，I
B
=
0.375 A
V
CE
=
10
V，I
C
=
0.5 A ， F = 10 MHz的
I
C
=
1
A，I
B1
=
0.1 A，I
B2
= 0.1 A
30
0.5
1.2
0.3
2SB0941
2SB0941A
2SB0941
2SB0941A
I
EBO
V
首席执行官
I
首席执行官
符号
I
CES
条件
V
CE
=
60
V, V
BE
= 0
V
CE
=
80
V, V
BE
= 0
V
CE
=
30
V，I
B
= 0
V
CE
=
60
V，I
B
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
30
妈，我
B
= 0
60
80
70
10
1.8
1.2
V
V
兆赫
s
s
s
250
民
典型值
最大
200
200
300
300
1
mA
V
A
单位
A
正向电流传输比
1
