PD78F0034B ， 78F0034BY ， 78F0034B （ A） ， 78F0034BY （ A）
Flash存储器编程特性（T
A
= +10到+40
°
C，V
DD
= 1.8 5.5 V ，V
SS
= AV
SS
= 0 V)
（ 1 ）写擦除特性
参数
工作频率
符号
f
X
条件
4.5 V
≤
V
DD
≤
5.5 V
3.0 V
≤
V
DD
＆ LT ; 4.5 V
1.8 V
≤
V
DD
＆ LT ; 3.0 V
V
PP
电源电压
V
DD
电源电流
V
PP2
I
DD
在闪存编程
当
10 MHz晶振
V
PP
= V
PP2
振荡
经营模式
V
DD
= 5.0 V±10%
分钟。
1.0
1.0
1.0
9.7
10.0
典型值。
马克斯。
10.0
8.38
1.25
10.3
30
单位
兆赫
兆赫
兆赫
V
mA
8.38 MHz晶体V
DD
= 5.0 V±10%
振荡
经营模式
V
PP
电源电流
步骤擦除时间
注1
注2
24
17
100
0.199
0.2
0.201
20
49.4
50
50.6
60
16
48
50
52
520
20
mA
mA
mA
s
S /片
ms
时
时
V
DD
= 3.0 V±10%
I
PP
T
er
T
ERA
T
wb
C
wb
C
erwb
T
wr
注6
注7：
当V
PP
= V
PP2
整体擦除时间
回写时间
当步骤擦除时间= 0.2秒
注3
每写回数
注4
回写命令
的擦除/写回数
步骤写入时间
注5
当回写时间= 50毫秒
s
s
时
每个字的整体写入时间
T
WRW
C
erwb
当步骤写入时间= 50
S（ 1个字= 1个字节）
后擦除= 1改写1擦除+ 1的写入
48
每个芯片重写数
注意事项1 。
2.
3.
4.
步骤擦除时间推荐设置值是0.2秒。
不包括预写时间之前擦除和擦除校验时间（回写时间）。
的回写时的推荐设置值是50毫秒。
回写是通过发行回写命令执行一次。重试，因此，数
必须是最大值减去发出的命令的数量。
5.
步骤写入时间的推荐设置值是50
s.
6.
每个字的写操作实际时间是100
更长。在内部校验时或之后写不
包括在内。
7.
当一个产品是先写后发货， "erase
→
write"和"write only"都被认为是一次
重写。
例如：
P ：写E：擦除
产品发运
→ P → é → P → é → P：
3重写
产品发运
→ é → P → é → P → é → P：
3重写
（ 2）串行写操作的特征
参数
V
PP
设定时间
从V设定时间
DD
↑
到V
PP
↑
从V设定时间
PP
↑
为RESET ↑
V
PP
从计数复位启动时间↑
算执行时间
V
PP
反高电平宽度
V
PP
反低电平宽度
V
PP
反噪声消除宽度
符号
t
PSRON
t
DRPSR
t
PSRRF
t
RFCF
t
算
t
CH
t
CL
t
NFW
8.0
8.0
40
条件
V
PP
高压
V
PP
高压
V
PP
高压
分钟。
1.0
10
1.0
1.0
2.0
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
ms
s
s
ns
数据表U16369EJ1V0DS
63
