PD78F0034A ， 78F0034AY
Flash存储器编程特性（V
DD
= 2.7 5.5 V ，V
SS
= 0 V, V
PP
= 9.7 10.3 V）
（1）基本特征
参数
工作频率
符号
f
X
条件
4.0
≤
V
DD
≤
5.5 V
2.7
≤
V
DD
＆ LT ; 4.0 V
电源电压
V
DD
V
PPL
V
PP
V
PPH
V
DD
电源电流
V
PP
电源电流
发表时间（每字节）
重写数
擦除时间
编程温度
I
DD
I
PP
T
WRT
C
WRT
T
抹去
T
PRG
1
+10
V
PP
=10.0 V
50
75
写入时的工作电压
当V
PP
低电平检测
当V
PP
高电平检测
当V
PP
高电压检测
分钟。
1.0
1.0
2.7
0
0.8V
DD
V
DD
典型值。
马克斯。
8.38
5.0
5.5
0.2V
DD
1.2V
DD
单位
兆赫
兆赫
V
V
V
V
mA
mA
9.7
注1
10.0
注1
10.3
注1
10
100
500
20
注2
20
+40
s
时
s
°C
注意事项1 。
对于产品档次“K ，E和P” ， 10.2 V（最小值）， 10.3 V（ TYP。 ） ，和10.4 V（最大值） ，应用。
2.
对产品规格“ K和E”的数目是1 （最大） 。
（ 2）串行写操作的特征
参数
V
PP
设定时间
从V设定时间
DD
↑
到V
PP
↑
从V设定时间
PP
↑
为RESET ↑
V
PP
从计数复位启动时间↑
算执行时间
V
PP
反高电平宽度
V
PP
反低电平宽度
V
PP
反噪声消除宽度
符号
t
PSRON
t
DRPSR
t
PSRRF
t
RFCF
t
算
t
CH
t
CL
t
NFW
8.0
8.0
40
条件
V
PP
高压
V
PP
高压
V
PP
高压
分钟。
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
典型值。
马克斯。
单位
s
s
s
s
ms
s
s
ns
闪存的写入模式设置时序
V
DD
V
DD
0V
V
PPH
V
PP
V
PP
V
PPL
t
PSRON
t
PSRRF
t
算
V
DD
RESET （输入）
0V
t
CL
t
DRPSR
t
RFCF
t
CH
46
数据表U14040EJ4V0DS
