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PD70F3040 , 70F3040Y
Flash存储器编程模式
写/擦除特性(T
A
= 10 40℃ ,V
DD
= 3.0 3.6 V )
°
参数
写入电流
符号
I
DDW
I
PPW
擦除电流
I
DDE
I
PPE
单位擦除时间
总擦除时间
重写次数
条件
当V
PP
= V
PP1
V
DD
V
PP
当V
PP
= V
PP1
V
DD
V
PP
分钟。
典型值。
马克斯。
67
100
67
200
单位
mA
mA
mA
mA
s
s
V
V
兆赫
t
ER
t
ERT
0.2
0.2
0.2
20
20
V
PP0
V
PP1
在正常操作模式
在Flash存储器编程模式
0
7.5
4
20
20
0.2V
DD
V
PP
电源电压
7.8
8.1
16
工作频率
写/擦除被视为1个周期。
38
初步数据表U14622EJ1V0DS00

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