电气规格
读
CLKMEM
SD1
CEX
SD3
BE [3：0 ]
SD5
A[15:2]
§
CA1
SD6
CA2
SD7
D[31:0]
SD15
SDA10
SDRAS
SD9
SDCAS
SDWE
读
SD2
D1
SD16
SD8
D2
SD10
芯片使能变为有效取决于地址。
所有BE [3：0 ]中的信号被驱动为低（有效）的读取。字节操作所读取的数据的EMIF的内部进行的。这些信号仍然
活动状态，直到下一次访问是不是SDRAM的读操作。
§
用于地址信号的数目依赖于SDRAM的大小和宽度。
图5-8 。两个SDRAM读命令（活动行）
写
CLKMEM
SD1
CEX
SD3
BE [3：0 ]
A[15:2]
BE1
SD5
CA1
SD11
D1
D[31:0]
SDA10
SDRAS
SD9
SDCAS
SD13
SDWE
写
SD2
SD4
BE2
SD6
CA2
SD12
D2
SD16
SD15
SD10
SD14
芯片使能变为有效取决于地址。
用于地址信号的数目依赖于SDRAM的大小和宽度。
图5-9 。两个SDRAM WRT命令（活动行）
62
SPRS076J
2000年6月 - 修订2004年7月
