SN74AUP1G58
低功耗可配置的多功能的门
www.ti.com
SCES504D - 2003年11月 - 修订2005年6月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
低静态功耗
(I
CC
= 0.9
A
MAX ）
低动态功耗
(C
pd
= 4.6 pF的典型值在3.3 V ）
低输入电容（C
i
= 1.5 pF的典型值）
低噪声 - 过冲和下冲<10 ％
V的
CC
I
关闭
支持部分掉电模式
手术
包括施密特触发器输入
宽工作V
CC
0.8 V至3.6 V范围
DBV包装
（ TOP VIEW ）
DCK包装
（ TOP VIEW ）
优化的3.3 -V操作
3.6 V的I / O容错支持混合模式
信号操作
t
pd
= 5.5 ns（最大值） 3.3 V
适用于点对点的应用点
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD性能测试每JESD 22
- 2000 -V人体模型
（ A114 -B ， II级）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
ESD保护超过± 5000 V带
人体模型
DRL包装
（ TOP VIEW ）
YEP或YZP包装
（底视图）
In1
GND
In0
1
6
In2
V
CC
Y
In1
GND
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In1
GND
In0
1
2
3
6
5
4
In2
V
CC
Y
In0
GND
In1
3 4
2 5
1 6
Y
V
CC
In2
2
5
In0
3
4
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
该AUP系列是TI公司的主要解决方案业界的低功耗需求在电池供电的便携式
应用程序。这个家族确保了整个V很低的静态和动态功耗
CC
范围
为0.8V到3.6V ，从而导致电池寿命的增加。该产品还保持优异的信号完整性，
产生非常低的下冲和过冲的特性。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
-40 ° C至85°C
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SOT （ SOT - 23 ） - DBV
SOT （ SC - 70 ） - DCK
SOT （ SOT - 553 ） - DRL
(1)
(2)
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
4000卷
订购型号
SN74AUP1G58YEPR
_ _HJ_
SN74AUP1G58YZPR
SN74AUP1G58DBVR
SN74AUP1G58DCKR
SN74AUP1G58DRLR
H58_
HJ “
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEP / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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