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SN65LVDS122
SN65LVDT122
SLLS525B - 2002年5月 - 修订2004年6月
www.ti.com
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
包
SOIC
SOIC
TSSOP
TSSOP
(1)
终端电阻
No
是的
No
是的
产品型号
(1)
SN65LVDS122D
SN65LVDT122D
SN65LVDS122PW
SN65LVDT122PW
符号
LVDS122
LVDT122
LVDS122
LVDT122
添加后缀R表示卷带封装载体
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
SN65LVDS122 ， SN65LVDT122
V
CC
电源电压范围
(2)
（A ， B）
电压范围
|V
A
-V
B
| （ LVDT只）
（ DE， S0，S1 ）
（ Y， Z）
ESD
人体模型
(3)
带电器件模型
(4)
连续功率耗散
T
英镑
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
(2)
(3)
(4)
A，B ，Y ，Z和GND
所有引脚
所有引脚
-0.5V至4 V
-0.7 V至4.3 V
1V
-0.5V至4 V
-0.5V至4 V
±4
kV
±2
kV
±1500
V
见耗散额定值表
-65_C到150_C
260°C
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压值，除了差分I / O总线的电压，是相对于网络的接地端子。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法A114- A.7 。
经测试符合JEDEC标准22 ，测试方法C101 。
推荐工作条件
民
V
CC
V
IH
V
IL
|V
ID
|
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
差分输入电压幅度
S0 ， S1 ， 1DE ，二维超声心动图
S0 ， S1 ， 1DE ，二维超声心动图
LVDS
LVDT
3
2
0
0.1
0.1
0
–40
喃
3.3
最大
3.6
4
0.8
1
0.8
4
85
单位
V
V
V
V
V
°C
输入电压（共模或输入信号的任意组合）
T
A
工作自由空气的温度
包装耗散额定值
包
PW
D
(1)
T
A
≤
25°C
额定功率
712毫瓦
1002毫瓦
降额因子
(1)
上述牛逼
A
= 25°C
6.2毫瓦/°C的
8.7毫瓦/°C的
T
A
= 85°C
额定功率
340毫瓦
480毫瓦
这是结到环境的热阻的倒数时，板装且没有空气流动。
2
