
SN54LVTH543 , SN74LVTH543
3.3 -V ABT八路户籍收发器
具有三态输出
SCBS704D - 1997年8月 - 修订1999年4月
D
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先进设备,最先进的先进的BiCMOS
3.3 -V技术( ABT )的设计
操作和低静态功耗
耗散
I
关闭
和供电三态支持热
插入
在总线保持数据输入消除了
无需外部上拉/下拉
电阻器
支持混合模式信号操作
( 5 -V输入和输出电压随着
3.3-V V
CC
)
支持非稳压电池操作
下降到2.7 V
典型的V
OLP
(输出地弹跳)
< 0.8 V电压V
CC
= 3.3 V ,T
A
= 25°C
闭锁性能超过500 mA每
JESD 17
ESD保护超过2000伏每
MIL -STD -883方法3015 ;超过200 V
使用机型号( C = 200 pF的, R = 0 )
封装选择包括塑料
小外形( DW ) ,收缩型小外形
( DB ) ,超薄紧缩小外形( PW )和
非常薄小外形( DGV )包,
陶瓷芯片载体( FK ) ,陶瓷平
(W )封装,以及陶瓷( JT )下降
SN54LVTH543 。 。 。 JT或W包装
SN74LVTH543 。 。 。 DB , DGV , DW ,或PW包装
( TOP VIEW )
LEBA
OEBA
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CEAB
GND
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V
CC
CEBA
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B8
LEAB
OEAB
SN54LVTH543 。 。 。 FK包装
( TOP VIEW )
A1
OEBA
LEBA
NC
V
CC
4
3
描述
这些八进制收发器是专门设计
用于低电压(3.3 - V)
CC
操作,但与
能力,以提供一个TTL接口到一个5 -V族
系统环境。
A2
A3
A4
NC
A5
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21
20
CEBA
B1
B2
B3
B4
NC
B5
B6
B7
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NC - 无内部连接
的' LVTH543器件包含两套D型锁存器,用于使在数据的临时存储任
方向。单独的锁存使能( LEAB或LEBA )和输出使能设置为( OEAB或OEBA )输入
每个寄存器以允许独立控制在数据流的任何一个方向。
在A到B使能( CEAB )输入要低,以从A或B.从输出数据输入数据,如果CEAB低,
LEAB低, A到B锁存器是透明的; LEAB的后续低到高的转变提出了A锁存器
在存储模式。随着CEAB和OEAB既低,三态B输出是活动的,反映了当前数据
在A锁存器的输出。从B数据流向是类似的,但需要使用CEBA , LEBA和OEBA
输入。
有源总线保持电路被设置在有效的逻辑电平,以保持未使用的或浮动的数据输入。
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参数。
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
A8
CEAB
GND
NC
OEAB
LEAB
B8
版权
1999年,德州仪器
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