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PIC16C505
7.3.1
MCLR使能
这种配置位未编程时（留在
“1”状态），使外部MCLR功能。当
编程时， MCLR功能连接到内部
V
DD
和引脚分配到一个I / O。参见图7-
7.
上电复位电路和器件复位
定时器（第7.5节）电路是紧密相关的。上
开机，复位锁存器置1，DRT复位。
DRT定时器开始计数，一旦检测到MCLR
要高。超时期限，这是典型的后
18毫秒，这将复位锁存器复位，从而结束了导通
芯片复位信号。
其中， MCLR保持为低电平的上电的例子是
在图7-9所示。 V
DD
可以升高和
MCLR变为高电平之前稳定下来。该芯片将
居然出来复位了T
DRT
毫秒后MCLR
变高。
在图7-10中，片上上电复位功能是
正在使用（ MCLR和V
DD
连接在一起，或
引脚被设定为RB3 ）。在V
DD
稳定
前启动定时器超时，没有
问题进行正确的复位。然而，图7-
图11示出了问题的情况，其中V
DD
太升
慢慢地。当DRT检测到之间的时间
MCLR引脚为高电平时， MCLR （和V
DD
）其实
充分发挥其价值，太长。在这种情况下，当
启动定时器超时，V
DD
还没有达到
V
DD
（分钟）值，芯片可能无法正常
正确。对于这种情况，我们建议
外部RC电路来实现较长的POR
延迟时间（图7-10 ） 。
注意：
当器件开始正常工作
（退出复位状态）时，器件的工作
参数（电压，频率，温度
TURE等）必须满足，以确保操作
化。如果这些条件得不到满足，
设备必须保持在复位状态直到操作
阿婷条件得到满足。
图7-7：
RBWU
MCLR选择
MCLRE
弱
引体向上
RB3/MCLR/V
PP
内部MCLR
7.4
上电复位（ POR ）
该PIC16C505系列采用片上电
复位（POR）电路，该电路提供内部芯片
复位对于大多数电情况。
芯片上电复位电路保持芯片复位状态，直到
V
DD
已达到足够高的水平进行适当的操作
化。采取内部上电复位，程序的优势
在RB3 / MCLR / V
PP
引脚MCLR和领带通电阻
到V
DD
或引脚编程为RB3 。内部弱
上拉电阻使用晶体管来实现。参考
表10-1的上拉电阻范围。这将
外部RC元件通常所需的
创建一个上电复位。对于V的最大上升时间
DD
为特定网络版。请参阅电气连接特定的阳离子了解详细信息。
当器件开始正常工作（即退出
复位状态），器件工作参数（电压，
频率和温度等）必须得到满足，以确保
操作。如果这些条件不满足，则设备
必须保持在复位状态，直到工作参数
会见。
片上上电的简化的框图
复位电路如图7-8所示。
有关更多信息，请参考应用笔记
“上电
注意事项“
- AN522和“电
故障排除“
- AN607 。
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初步
1998年Microchip的科技公司
