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P4C1981 / 1981L ， P4C1982 / 1982L
交流特性，读周期
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ，全温度范围）
(2)
符号。
t
RC
t
AA
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OE
参数
读周期时间
地址访问
时间
芯片使能
存取时间
从输出保持
地址变更
芯片使能到
在低Z输出
芯片禁用到
在高Z输出
OUTPUT ENABLE
低到数据有效
2
2
2
10
-10
12
10
10
2
2
6
6
2
6
0
10
0
-12
-15
15
12
12
2
2
7
7
2
7
0
12
15
9
0
8
8
2
15
15
2
2
20
-20
25
20
20
2
2
10
12
2
9
0
20
-25
35
25
25
2
2
10
15
2
10
0
25
-35
45
35
35
2
2
15
21
2
14
0
25
-45
单位
ns
MIN MAX MIN
最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
45
45
ns
ns
ns
ns
15
27
ns
ns
ns
15
ns
ns
30
ns
t
OLZ
输出使能到
在低Z输出
t
OHZ
输出禁止以
在高Z输出
t
PU
t
PD
芯片使能到
电时间
芯片禁用到
关机时间
OE
读周期NO.1 （ OE控制）
(5)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CE
1,
CE
2
t
LZ
(9)
数据输出
t
OLZ
(9)
t
AC
t
OHZ
(9)
t
HZ
(9)
t
OH
(10)
注意事项：
5.
WE
为高的读周期。
6.
CE
1
,
CE
2
和
OE
为低电平的读周期。
7.
OE
是低的周期。
8.地址必须是有效的之前或重合，
CE
1
和
CE
2
变为低电平。
9.转换测量
±200mV
从稳态电压
之前改变，同时装载如在图1中指定。
10.读周期时间是从最后的有效地址来测
第一过渡的地址。
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